半导体设备ETF易方达（159558）昨日获约2.5亿元净流入，机构称内存供应短缺仍将持续

截至午间收盘，上证科创板芯片设计主题指数上涨0.3%，中证半导体材料设备主题指数上涨0.3%，上证科创板芯片指数下跌0.1%，中证芯片产业指数下跌0.2%。同花顺iFinD数据显示，半导体设备ETF易方达（159558，联接基金A/C：021893/021894）昨日获约2.5亿元资金净流入。
美银证券指出，2026年三季度DRAM均价环比涨20-30%、NAND涨超15%，且超大规模云厂商已提前签约锁定2027年一季度更高的DRAM价格。基于内存供应持续短缺及OEM/科技公司抢筹加剧，机构将2027-2028年DRAM均价预期上调8-12%、NAND上调2-3%；在更长期维度上，美银将2030年全球内存市场规模预测从1.8万亿美元上调至2.0万亿美元，并预测2027-2030年DRAM与NAND销售额年复合增速达21%。

①全市场13只纳指相关ETF溢价率超10%，有21只跨境ETF溢价率超过5%；
                                    ②9月跨境ETF高溢价压力较8月上升；
                                    ③高溢价的深层矛盾，在于QDII额度供给与配置需求不匹配。

①近期，汇添富基金、华宝基金、建信基金等多家基金公司举行秋季策略会；
                                    ②对四季度及明年上半年，头部公募整体偏向积极；
                                    ③在行业配置上，“科技成长+红利防御”的杠铃型结构成为共识。