财联社
财经通讯社
打开APP
17:51:00【三星电子扩大与英伟达NAND供应合作 加速V9、V10闪存布局】
财联社7月21日电,三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作,在此前已开展DRAM、高带宽内存(HBM)及晶圆代工合作的基础上,进一步深化存储芯片供应关系。据报道,三星已开始量产第十代V-NAND(V10)并向英伟达供货,同时扩大第九代V-NAND(V9)产能,并推进第十一代500层级V-NAND(V11)开发。据悉,三星目前已具备月产超过10万片V-NAND的产能,其中约60%产能分配给V9产品。
半导体芯片 存储芯片 HBM
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2026-07-21 17:51:00 579797 阅读
商务合作
热门解锁
相关阅读
评论
热度
最新
发送
复制
取消
垃圾广告
政治激进内容
色情低俗内容
取消