财联社5月20日电，据集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继存储器合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中，HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%，且晶圆面积相较DRAM产品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看，至年底HBM将占先进制程比重35%，其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。

《科创板日报》20日讯，TrendForce最新研究指出，三大原厂（三星、美光、SK海力士）开始提高先进制程投片，公司资金投入也开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期年底1alpha纳米以上投片将占约40％的DRAM总投片。其中，HBM生产顺序最优先，年底HBM将占先进制程比重35％，其余则用以生产LPDDR5（x）与DDR5产品。另外，由于英伟达GB200将于2025年放量，其规格为HBM3e 192/384GB，预期HBM产出将接近翻倍，且紧接各原厂将迎来HBM4研发，若投资没有明显扩大，在产能排挤效应之下，DRAM产品可能供应不足。

《科创板日报》20日讯，因PC、智能手机需求复苏仍需时间，4月DRAM价格涨势停歇， 2024年4月指标性产品DDR4 4Gb及8Gb批发价(大宗交易价格)连续第二个月环比持平。但业内期待随着HBM需求与产量提升，带动DRAM价格上涨，“HBM产量增加的话，其他DRAM产量就会减少，进而推升价格。”电子产品商社指出，部分大厂已接受存储芯片厂商的涨价要求。某家PC厂商表示，4-6月的DRAM批发价将较1-3月扬升5-10%。

《科创板日报》16日讯，SK海力士与台积电已敲定下一代HBM的合作量产计划。台积电将负责基础芯片前端工艺（FEOL）、后续布线工艺（BEOL）等，晶圆测试和HBM堆叠将由SK海力士进行。这意味着传统的前端制程将由台积电负责，后续制程将由SK海力士处理。业界预测，SK海力士将通过台积电7nm制程制造HBM4基片。

财联社5月15日电，芯片半导体板块异动拉升，HBM方向领涨，蓝箭电子、通富微电冲击涨停，文一科技、华海诚科、晶方科技、亚威股份等涨幅靠前。近日，两家全球最大的存储芯片供应商——SK海力士和美光都已经表示，2024年的高带宽存储芯片（HBM）已经售罄，而2025年的库存也几乎售罄。不少分析师警告称，在人工智能的爆炸性需求影响下，高带宽存储芯片（HBM）的供应短缺情况可能将持续今年一整年。

财联社5月14日电，分析师警告称，高带宽内存(HBM)等高性能存储芯片今年可能仍将面临供应紧张局面，因为人工智能热潮推动了对这类存储芯片需求的爆炸性增长。

《科创板日报》14日讯，SK海力士技术人员Kim Kwi Wook表示，这家企业计划使用1c nm制程的32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。Kim Kwi Wook预计，HBM4E内存可较HBM4在带宽上提升40%、密度提升30%，同时能效也提高30%。在谈到对键合技术路线的看法时，这位研究人员称混合键合仍面临良率不佳的问题，SK海力士在下代HBM4产品中采用混合键合的可能性不大。

《科创板日报》14日讯，三星和SK海力士预测，由于AI相关芯片需求不断增长，今年DRAM和HBM价格将保持坚挺；为了满足需求，他们将超过20%的DRAM产线转换为HBM产线。SK海力士HBM芯片今年已售罄，2025年也几乎售罄；三星HBM产品也已售罄。

《科创板日报》14日讯，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。

《科创板日报》13日讯，三星电子为供应英伟达HBM3E产品，正致力投入产品验证，不过传因台积电采用标准问题，导致8层HBM3E仍待进一步的检验。

财联社5月8日电，天风国际分析师郭明錤预计，英伟达下一代AI芯片R系列/R100将在2025年4季度量产，系统/机柜方案预计将在2026年上半年量产。R100将采台积电的N3制程与CoWoS-L封装(与B100相同)。R100预计将搭配8颗HBM4。英伟达已理解到AI伺服器的耗能已成为CSP/Hyperscale采购与资料中心建置挑战，故R系列的晶片与系统方案，除提升AI算力外，耗能改善亦为设计重点。

《科创板日报》7日讯，消息称三星电子组建了一支新的HBM工程师团队，以确保从英伟达拿下数十亿美元的合约。三星的新工作小组由大约100名优秀工程师组成，他们一直致力于提高制造产量和质量，首要目标是通过英伟达的测试。

《科创板日报》6日讯，三星电子为了加强HBM竞争力，将新一代HBM开发组织二元化：预计明年量产的HBM4由HBM开发组全权负责；HBM3E由负责现有HBM开发的DRAM设计组负责。

《科创板日报》6日讯，据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。

财联社5月2日电，在媒体招待会上，韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍，由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求，公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前，公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测，未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增，目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。

财联社5月2日电，SK海力士将于第三季度开始大规模生产下一代HBM芯片。

财联社4月30日电，三星电子30日表示，目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品，计划今年二季度量产。三星8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。

财联社4月30日电，三星电子称，由于专注于高带宽内存(HBM)生产，预计下半年先进DRAM产品的供应将受到额外限制。