《科创板日报》30日讯，三星电子发布HBM封装新专利，名为 “包括沿垂直方向堆叠的多个半导体芯片的半导体封装”，旨在解决高带宽内存（HBM）封装的可靠性问题。根据其28日提交的申请，三星电子采用“深槽切割”工艺，将堆叠在HBM顶部的虚拟芯片的侧面加工成三级阶梯状曲面结构，这种方法可以有效改善高堆叠HBM中常见的芯片分层、开裂和翘曲等问题。另外，热管理方面，该专利将粘合绝缘层底面与水平延伸面之间的垂直距离精确设计在1-10微米之间，使传热效率保持在现有水平；还包含一种改进的凸起表面结构，可最大限度地减少成型层的体积，从而有可能改善传热路径。

财联社6月30日电，存储芯片概念反复走强，天山电子20cm涨停，此前盈新发展涨停，恒烁股份、时空科技、聚辰股份、中电港、深科技跟涨。消息面上，摩根大通研报显示，本轮存储超级周期将"更高、更长"，全球存储TAM从2025年2140亿美元飙升至2028年1.68万亿美元，DRAM收入2028年料达1.23万亿美元；CPU已成新一轮存储上涨核心催化剂。

财联社6月29日电，美光科技股价下跌6%，报1064.34美元/股。闪迪股价下跌7.8%，报1931.160美元/股。二者成交量分列美股所有股票第一位、第二位。铠侠ADR跌7%。消息上，韩国产业通商资源部长官金正官29日表示，预计在五年内将DRAM生产能力翻倍，预计全球内存市场将在5年内增长四倍。

财联社6月29日电，美光科技股价下跌3.46%，报1093.190美元/股。闪迪股价下跌5.16%，报1982.740美元/股。

财联社6月29日电，随着全球内存短缺危机加剧，美国当地消费者和小型企业已采取法律行动。据悉，全球最大的三家内存供应商——三星、SK海力士和美光已因涉嫌操纵内存价格并限制全球供应而遭到集体诉讼。诉讼于6月25日在在美国加利福尼亚州联邦法院提起。诉状指出，这三家公司几乎控制着全球DRAM(动态随机存取存储器)市场的全部供应，却在价格大幅上涨期间限制传统DRAM产品供应，进一步加剧了当前的内存短缺危机。

财联社6月29日电，全球首只内存领域主动管理型ETF——Roundhill Memory ETF（DRAM）近日进行调仓，首次将A股存储龙头兆易创新纳入投资组合，为第八大重仓股。业内人士认为，这一配置变化，折射出在全球存储产业格局中，中国半导体企业的市场地位正受到海外资金进一步关注。

财联社6月29日电，华泰证券维持美光科技“买入”评级，目标价1800美元。

财联社6月29日电，存储芯片概念反复活跃，时空科技涨停，创历史新高，兆易创新、大港股份、北京君正、普冉股份跟涨。消息面上，美银证券高级半导体分析师表示，内存行业正在经历一场由人工智能驱动的根本性结构变革，美光科技最新的季度业绩表明，制造专为人工智能优化的存储芯片所需的产能是传统计算产品的三到四倍。

财联社6月27日电，国家统计局工业司首席统计师于卫宁解读2026年1—5月份工业企业利润数据。于卫宁表示，电子行业支撑作用明显。1—5月份，规模以上装备制造业利润同比增长14.1%，拉动全部规模以上工业企业利润增长5.2个百分点。从行业看，全球人工智能技术变革带来高端算力芯片和存储芯片需求爆发，推动电子行业利润高速增长，1—5月份，电子行业利润增长103.9%，对全部规模以上工业企业利润增长的贡献率达43.1%，是规模以上工业企业利润较快增长的重要支撑。

财联社6月26日电，美光科技股价再度下跌5.1%，报1151.435美元/股，总市值报1.30万亿美元。

财联社6月26日电，铠侠美股ADR下跌14%，存储板块集体下跌。

财联社6月26日电，美股存储芯片概念盘前走低，美光科技跌超3%，该股周四收盘大涨15%；闪迪盘前跌超4%，周四收盘大涨近22%。