财联社1月7日电，派杰投资将美光科技目标价从275美元上调至400美元。

财联社1月7日电，内存条价格持续暴涨，“1盒内存条价格堪比上海1套房”等相关话题引发大量关注。1月7日，界面新闻从第三方购物平台获悉，海力士和三星的256G DDR5服务器内存一根超过4万元，有的甚至高达49999元/根。如果按照1盒100根来计算，其价格将近500万元。有业内人士形容，其“价值已经超过上海不少房产。”

财联社1月7日电，存储芯片概念大面积高开，普冉股份20cm涨停，走出3天2板，恒烁股份、香农芯创、开普云、江波龙高开超10%，时空科技、德明利、兆易创新、大为股份、北京君正、神工股份跟涨。消息面上，美股SanDisk收涨超27%，创去年2月份以来最大单日涨幅。西部数据涨超16%，创逾五年来最大单日涨幅。美光科技涨超10%，再创历史新高。

①隔夜美股存储板块再度狂飙，存储产业链有望持续站上风口。②强脑科技近期完成约20亿元融资，脑机接口行业蓄势待发。③媒体整版报道阿里胰腺癌早筛AI模型，AI应用赛道投资机遇凸显。

财联社1月6日电，本周四（1月8日），全球最大存储芯片制造商三星电子将公布2025年第四季度初步业绩。由于AI热潮下存储芯片严重短缺引爆涨价潮，分析师预计，三星电子第四季度营业利润将同比飙升160%。

财联社1月6日电，本周四（1月8日），全球最大存储芯片制造商三星电子将公布2025年第四季度初步业绩；由于AI热潮下存储芯片严重短缺引爆涨价潮，分析师预计，三星电子第四季度营业利润将同比飙升160%。

财联社1月6日电，存储芯片概念反复活跃，恒烁股份涨超10%，香农芯创、佰维存储、江波龙、兆易创新、朗科科技、北京君正、德明利、普冉股份跟涨。消息面上，据报道，三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。

《科创板日报》5日讯，TrendForce最新调查显示，2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至服务器、HBM应用，以满足AI服务器需求，导致其他市场供给严重紧缩，预估整体一般型DRAM合约价将环比增长55-60%。NAND Flash则因原厂控管产能，和服务器强劲拉货排挤其他应用，预计各类产品合约价持续上涨33-38%。

财联社1月5日电，美股存储芯片股盘前走高，美光科技涨3.5%，闪迪涨超4%，西部数据涨3.5%。

财联社1月5日电，午后存储芯片概念持续走强，普冉股份20cm涨停，此前云汉芯城20cm涨停，兆易创新回封涨停，恒烁股份、江波龙、开普云、香农芯创均涨超10%。消息面上，在AI强劲需求带动下，2025年存储芯片价格大涨，其中DDR4 16Gb涨幅高达1800%，DDR5 16Gb涨幅高达500%，512Gb NAND闪存涨幅高达300%。

财联社1月5日电，存储芯片概念快速拉升，香农芯创涨超10%，大为股份、德明利、江波龙、北京君正、佰维存储、矽电股份跟涨。消息面上，美股存储芯片大涨，美光科技上涨涨10.51%，刷新历史新高；SanDisk上涨15.95%，西部数据上涨8.96%。

《科创板日报》4日讯，三星电子平泽工厂P5产线的主体结构建设将于今年2月正式恢复。据悉，该产线的建设系三星应对存储超级周期战略的一部分，其投产日期暂定于2028年。

《科创板日报》4日讯，SK海力士将于2027年3月在其位于龙仁半导体产业集群的生产基地启用首个洁净室，比原计划提前约两个月，为扩张DRAM产能做准备。据悉，该集群是下一代DRAM内存生产基地，其产能包括高带宽内存（HBM），目前正在建设中。