财联社8月4日电，Needham首次覆盖SK海力士，给予“买入”评级，目标价200美元。

财联社8月4日电，William Blair&Co首次对SK海力士ADR进行评级，给予“跑赢大盘”评级。

财联社8月4日电，美股盘前存储板块走强，美光科技盘前上涨3.68%，SK海力士盘前上涨3.00%，闪迪盘前上涨4.05%，西部数据盘前上涨2.92%，希捷科技盘前上涨2.44%。

《科创板日报》4日讯，根据Counterpoint Research最新发布的全球存储追踪报告，三星在2026年第二季度以39%的市场份额重返全球DRAM市场第一，市场份额恢复至2024年水平。相比之下，尽管SK海力士的季度营收同比增长高达214%，但其市场份额由2025年第二季度的39%降至2026年第二季度的26%。美光以25%的市场份额几乎与SK海力士争夺第二的位置。除此之外，长鑫存储同比增长716%，南亚科技同比增长690%。长鑫存储成为全球增长最快的DRAM厂商，主要受益于中国市场传统DRAM需求旺盛及产能持续扩张；南亚科技则受益于DDR及LPDDR4/5产品供需改善。

《科创板日报》4日讯，业界人士指出，近期原厂已完成2027全年产能分配谈判，三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。 NAND Flash虽然没有像DRAM一样供应吃紧，但预计2026年8月底前的产能也将被预订完毕。无论是否签订LTA长期合约，买家均配合原厂的提前预付订金模式，这将应验2027年是“存储最短缺一年”的看法，但后续价格涨幅有望趋缓。

财联社8月4日电，SK海力士发布声明称，SK海力士与闪迪推出高带宽闪存（HBF）的行业首套标准规范，HBF属于下一代存储技术。两家企业组建联盟约六个月后达成这一里程碑进展。谷歌与Tenstorrent同样加入该HBF联盟。HBF是介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘之间的新型存储层级；该技术兼具接近HBM的高速数据传输能力，同时依托NAND闪存技术实现存储容量大幅扩容。

财联社8月3日电，美光科技股价转涨，此前一度下跌6%，现报823.755美元/股，总市值报9303亿美元。

财联社8月3日电，美股存储板块跌幅扩大，美光科技跌3.44%，SK海力士跌3.62%，闪迪跌3.89%，西部数据跌2.88%，希捷科技跌3.35%。

财联社8月3日电，苹果公司3月上市的MacBook Air M5如今因内存短缺缺货已一机难求。据知名科技记者马克·古尔曼爆料称，基础配置的M5 MacBook Air已推迟至8月下旬才能发货，部分尺寸、颜色和存储空间组合的MacBook Air则要等到9月初。这相比过去大约延迟了一个月，业内人士认为，对于苹果通常在下单后几天内就能发货的产品线来说，这种情况几乎是前所未有的。

财联社8月3日电，据报道，韩国行业数据显示，传统动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存产品的平均价格在7月份创下月度历史新高，这得益于对人工智能（AI）的强劲需求。根据行业追踪机构DRAMeXchange的数据，基准DRAM产品的PC固定合约平均价格较上月上涨14.3%，达到24美元，创下自2016年6月该追踪器开始汇总数据以来的最高水平。数据显示，NAND闪存价格也持续上涨，上个月基准产品的平均价格突破了30美元大关。单层NAND产品大幅上涨，其平均销售价格较上月上涨35%，原因是内存供应商优先考虑高层3D NAND和先进制造工艺的产能，以应对AI相关需求。

财联社8月3日电，市场研究公司TrendForce预测，由于供应短缺，第三季度PCDRAM的固定交易价格将比上一季度上涨15%至20%。该公司指出，随着云服务提供商(CSP)对服务器内存的需求增加，内存制造商计划明年减少PCDRAM的供应。

财联社8月3日电，在ViaSat提起的诉讼中，铠侠硬盘业务部门被法院判令支付2.29亿美元赔偿金。铠侠表示，已在2026年第一季度就相关诉讼计提了损失准备金。

财联社8月3日电，午后存储芯片概念持续走弱，兆易创新逼近跌停，普冉股份跌超10%，德明利、佰维存储、香农芯创、江波龙、澜起科技等跌幅靠前。

财联社8月2日电，继内存、硬盘价格上涨后，电脑硬件市场又迎来新一轮价格波动。8月1日，记者走访深圳华强北市场发现，7月底以来，消费级显卡价格快速上涨，部分热门型号数日内上涨数百元，高端型号涨幅甚至达到千元级别。以热门型号RTX 5060为例，目前市场报价已升至2700元至3100元，而本轮涨价前报价约为2300元至2500元。短短4天，5060价格最高上涨约800元，涨幅超过三成。高端型号涨幅更加明显，RTX 5080市场报价已超过1.1万元，较7月初上涨约1700元。“早两天买还能省1000元左右。”一名华强北电脑装机商户告诉记者，近期显卡“一日一价”，不少消费者此前咨询配置时还在观望，但等到决定购买时，价格已经出现变化。

财联社8月1日电，行业人士向记者透露，长鑫存储的LPDDR6（第六代低功耗双倍数据速率内存标准）已接近研发验证尾声，这是量产前的重要一步。今年3月便有市场消息称，长鑫科技旗下的长鑫存储在积极推进LPDDR6产品落地，并已向核心客户送样，有望2026年下半年发布并实现量产导入。相关信息称长鑫首款LPDDR6产品的设计规格速率为12800 Mbps，与SoC（系统级芯片）协同的运行基础速率为10667Mbps，颗粒容量16Gb，采用1295 Ball（焊球）的POP（堆叠）封装，在低功耗设计、RAS（可靠性、可用性和可维护性）功能比LPDDR5X（LPDDR5的强化版）产品有明显优化提升。