财联社1月27日电，美光科技盘前涨幅扩大至5.4%，闪迪涨幅扩大至3.6%，西部数据涨幅扩大至3.5%。

财联社1月27日电，美股存储板块盘前走强。美光科技涨4%，闪迪涨超3%，西部数据涨近3%，希捷科技涨超2%。

财联社1月27日电，全球EDA和半导体IP领域的龙头企业新思科技（ Synopsys） 首席执行官萨西尼·加齐在接受采访时表示，芯片“短缺”现象将在2026年和2027年持续下去。加齐表示，目前，全球顶尖厂商的大部分内存芯片“直接流向了人工智能基础设施，但许多其他产品也需要内存，所以如今这些其他市场因产能不足而陷入困境。”他指出，三星、SK 海力士和美光作为全球最大的内存公司，虽然正致力于扩大生产，但要实现扩产目标，需要“至少”两年的时间，这也是此次短缺将持续下去的原因之一。

《科创板日报》27日讯，EDA巨头新思科技（Synopsys）CEO Sassine Ghazi指出，由AI基础设施热潮引发的存储供应紧张局面，短期内恐难以缓解，预计将持续到2026年甚至2027年。

《科创板日报》27日讯，SK海力士将独家向微软Maia 200提供HBM3E芯片。据悉，Maia 200搭载的HBM3E内存总容量为216GB，其配备了六个12层HBM3E内存模块，每个模块容量为36GB。

财联社1月27日电，美光科技未来十年将在新加坡额外投资240亿美元，以扩大产能，应对人工智能(AI)热潮引发的存储芯片短缺。这家存储芯片巨头表示，将在新加坡新建一座NAND工厂。NAND是比机械硬盘速度更快的存储技术，随着人工智能基础设施建设加速，其需求不断上升。美光科技表示，这项新增投资将创造约1600个就业岗位，预计2028年下半年开始投产晶圆。

财联社1月27日电，存储芯片概念表现活跃，普冉股份涨超12%再创新高，恒烁股份涨超10%，北京君正、兆易创新、神工股份跟涨。消息面上，据报道，三星电子在今年第一季度将NAND闪存的供应价格上调了100%以上，这一涨幅远超市场此前预期。

财联社1月26日电，美股存储板块盘前走低，美光科技跌1.8%，闪迪跌1.6%，西部数据跌1.0%，希捷科技跌0.75%。

财联社1月26日电，杰富瑞报告称，人工智能支出多年来的激增已进入一个新阶段，定价权不再掌握在芯片设计商或云平台手中，而是掌握在存储器生产商手中。市场普遍预期，AI热潮推动的这场存储“超级周期”似乎将继续演绎。根据Counterpoint的分析，2026年第一季度内存价格就将进一步上涨50%。

财联社1月26日电，三星据悉接近获英伟达批准，将供应HBM4人工智能存储芯片。

财联社1月25日电，据韩国媒体报道，三星电子在今年第一季度将NAND闪存的供应价格上调了100%以上，这一涨幅远超市场此前预期，凸显了当前半导体市场严重的供需失衡现状。据上述媒体行业知情人士透露，三星电子已于去年年底完成了与主要客户的供应合同谈判，并从1月起正式实施新的价格体系。这是继DRAM内存价格被曝上调近70%之后，存储市场的又一重磅调价信号。报道称，三星电子目前已着手与客户就第二季度的NAND价格进行新一轮谈判，市场普遍预计价格上涨的势头将在第二季度延续。