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15:27:34【HBM9或于2040年问世 性能有望达到HBM4的60倍】
《科创板日报》28日讯,韩国纳米制造中心(NNFC)的首席研究员杨俊模(Yang Jun-mo)预测,HBM9预计将于2040年左右问世,其性能将比第六代HBM4高出60倍以上。下一代存储器预计将采用超过32层堆叠结构,带宽最高可达每秒128太字节(TB/s)。 (TheElec)
HBM 半导体芯片 存储芯片
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2025-11-28 15:27:34 1041952 阅读
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