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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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  • 昨天 14:51 来自 财联社
    SK海力士CEO：HBM3E量产如期进行
    《科创板日报》23日讯，针对12层HBM3E产品的量产计划，SK海力士CEO郭鲁正表示，虽然无法透露具体客户，但出货、供应时间等，都将按照原计划进行。
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  • 10-22 10:54 来自 ZDNet
    三星计划年底前建成首条1c DRAM产线
    《科创板日报》22日讯，三星电子计划在今年年底前建成第一条1c DRAM（第六代10纳米级DRAM）量产线，三星电子决定使用1c DRAM作为第六代HBM和HBM4的核心芯片，并计划于明年底发布。
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  • 10-17 12:53 来自 ZDNET Korea
    消息称SK海力士削减CIS研发投入 专注HBM及AI存储器开发
    《科创板日报》17日讯，消息人士透露，SK海力士正在削减其商业性较低的图像传感器和代工业务，加强专注于高利润的高带宽存储器（HBM）和AI存储器。SK海力士正在削减其CMOS图像传感器（CIS）研发投入，产能预计较去年减少一半以上，至每月不足7000片12英寸晶圆。此外，负责设计存储控制器等的片上系统（SoC）设计部门的人员也被转移并重新分配到HBM部门。
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  • 10-16 14:07 来自 Newsis
    消息称三星HBM3E年内通过英伟达验证的可能性不大 或直接跳至HBM4
    《科创板日报》16日讯，韩国多位业内人士透露，三星HBM3E接受英伟达验证超过1年，原本最迟应在2024年第3季度通过验证，但截至目前为止仍未通过验证。三星HBM3E在2024年底前通过英伟达验证的可能性不大，展望2025年之后，HBM4将成为市场主流，三星很可能跳过HBM3E，专注于HBM4供应。
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  • 10-16 13:23 来自 ZDNET Korea
    消息称三星电子HBM3E商业化迟缓或与DRAM制程有关 考虑重新设计1a DRAM电路
    《科创板日报》16日讯，据业界消息，三星电子的HBM商业化迟缓或与HBM核心芯片DRAM有关，1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应。据知情人士透露，三星正在内部讨论重新设计部分1a DRAM电路的计划，但尚未做出最终决定，因为这一决定需要承受各种风险，如果重新设计，预计至少需要六个月才能完成产品，直到明年第二季度才能实现量产。
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  • 10-14 14:13 来自 财联社
    韩国9月半导体出口额为136.3亿美元 创历史新高
    财联社10月14日电，韩国科学技术信息通信部14日发布的一项数据显示，今年9月韩国信息通信技术（ICT）出口额同比增长36.3%，为223.6亿美元，连续11个月保持增势，创下历年单月第二高纪录。按领域看，得益于人工智能（AI）技术潮推高服务器投资，半导体出口额为136.3亿美元，创历史新高。其中，存储半导体出口额同比大增60.7%，为87.2亿美元；系统半导体增长5.2%，为43.7亿美元。据科技部分析，市场对高带宽内存（HBM）等高附加值产品的需求增加，推动存储半导体出口大增，为半导体出口额创新高作出贡献。
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  • 10-10 14:29 来自 ZDNET Korea
    消息称三星电子因向大客户英伟达供应延迟调减HBM内存产能规划
    《科创板日报》10日讯，三星电子因向大客户英伟达供应HBM3E内存出现延迟，将2025年底的HBM产能预估下调至每月17万片晶圆。
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  • 10-09 15:21 来自 财联社
    TrendForce：第四季存储器均价涨幅将大幅缩减
    《科创板日报》9日讯，TrendForce集邦咨询预估，第四季存储器均价涨幅将大幅缩减，其中，一般型DRAM涨幅为0%至5%之间，但由于HBM比重逐渐提高，DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%，较前一季涨幅明显收敛。
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  • 10-09 15:13 来自 台湾经济日报
    大摩：三星HBM4技术将外包给台积电
    《科创板日报》9日讯，大摩半导体产业分析师詹家鸿指出，三星预计在2026年将其HBM4基底技术外包给台积电，并采用12nm/6nm制程。 台积电面临强劲需求的情况下，正积极进行产能扩张，预计在2025年将资本支出增加至380亿美元。
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  • 09-27 07:39 来自 财联社 刘蕊
    凛冬真的将至吗？美光财报打脸大摩 全球芯片股集体狂欢
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  • 09-26 10:35 来自 财联社 刘蕊
    AI芯片新突破！SK海力士全球首个实现12层HBM3E产品量产 股价大涨近9%
    阅读 86.2w+
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  • 09-26 08:05 来自 财联社
    财联社9月26日电，SK海力士股价涨超8%，此前公司称开始大规模生产HBM3E 12层芯片。
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  • 09-26 04:22 来自 财联社
    财联社9月26日电，美光科技称，预计2025年HBM DRAM市场规模将超250亿美元；2024-25年HBM产品脱销；预计PC（个人电脑）将在2025年增长。
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  • 09-11 20:13 来自 环球网
    报道称美国正加紧对韩施压 要求韩国配合对华芯片出口管制
    财联社9月11日电，据《韩国先驱报》11日报道，美国商务部负责工业和安全事务的副部长埃斯特维兹当地时间10日在美国华盛顿特区举行的“2024年韩美经济安全会议”上，呼吁韩国芯片制造商向韩国盟国而不是中国等国供应HBM芯片。埃斯特维兹还重申美国会推动对量子计算和全环绕栅极（GAA）尖端芯片制造工艺等关键技术的出口管制，并敦促韩国也加入其中。中方此前多次就美国对华芯片出口管制表明立场，坚决反对美方胁迫其他国家搞对华出口限制。
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  • 09-09 13:46 来自 财联社
    美光：12层HBM3E正在进行客户验证
    《科创板日报》9日讯，美光表示，目前正在将可供制造的（production-capable）12层第五代HBM（HBM3E）送交给AI产业链重要合作伙伴，以进行验证程序。
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  • 09-04 19:38 来自 台湾经济日报
    SK海力士预计9月底量产12层HBM3E
    《科创板日报》4日讯，SK海力士社长金柱善(Kim Ju Seon)今日表示，预计本月底将开始量产12层HBM3E，并将与台积电合作生产HBM4。
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  • 09-04 18:05 来自 The Elec
    SK海力士利川厂M10F产线转向生产HBM 目标明年四季度量产
    《科创板日报》4日讯，SK海力士正在将利川厂的M10F产线转向生产HBM，计划明年四季度实现量产。投产后，SK海力士的HBM产能可达每月15万片。设备供应商已收到相关设备的采购订单。
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  • 09-04 09:29 来自 财联社
    TrendForce：三星电子HBM3E内存已获英伟达验证 8Hi产品开始出货
    《科创板日报》4日讯，TrendForce集邦咨询表示，三星电子的HBM3E内存产品已完成验证，并开始正式出货HBM3E 8Hi，主要用于H200，同时Blackwell系列的验证工作也在稳步推进。
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  • 09-03 16:54 来自 财联社
    SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DRAM
    财联社9月3日电，SK海力士近日宣布成功开发出采用第六代技术的16Gb DDR5 DRAM，速度可达8Gbps，比上一代产品快11%，电源效率提升9%以上，计划今年内实现量产，明年开始正式供货。SK表示，第六代技术是在第五代技术基础上通过提高设计完整性突破工艺限制，未来计划把该技术应用到第七代HBM4E上。
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  • 09-03 16:20 来自 台湾工商时报
    台积电预计2027年实现CoW-SoW量产
    《科创板日报》3日讯，为了应对大芯片趋势及AI负载对更多HBM的需求，台积电计划将InFO-SoW与SoIC结合，形成CoW-SoW，将存储器或逻辑芯片堆叠在晶圆上，并预计在2027年开始量产。
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