财联社6月3日电，法国液化空气集团据悉将为SK海力士人工智能存储芯片项目提供支持。

财联社6月3日电，存储芯片概念震荡拉升，同有科技涨超10%，江波龙、朗科科技、香农芯创、德明利、兆易创新、大为股份、神工股份跟涨。消息面上，SK集团会长崔泰源6月2日称，SK海力士计划五年内将晶圆产能翻番。此外存储厂商铠侠表示，超大规模数据中心正寻求签订涵盖2029年乃至更远期阶段的NAND合约。

财联社6月2日电，SK集团会长崔泰源6月2日称，SK海力士计划五年内将晶圆产能翻番。他表示，存储芯片产能瓶颈问题可能会持续到2030年。

财联社6月2日电，存储厂商铠侠表示，超大规模数据中心正寻求签订涵盖2029年乃至更远期阶段的NAND合约。

财联社6月2日电，韩国SK集团会长崔泰源1日在台北会见英伟达首席执行官（CEO）黄仁勋，两人就人工智能（AI）存储芯片合作进行交流。黄仁勋在答韩媒问时表示，高带宽内存（HBM）供应链最关键的要素为性能、品质、可靠性和供应能力，因此英伟达正与SK紧密合作。

财联社6月2日电，铠侠计划在2026至2028财年年均研发投入2300亿日元，年均资本开支4700亿日元。

财联社6月2日电，SK集团董事长表示，集团计划在未来五年内将内存产能扩大一倍。

财联社6月2日电，美东时间周一，摩根大通在向客户发布的报告中维持了对美股“七巨头”公司的乐观看法，称“七巨头”股价在今年早些时候回调后，其股价获得了进一步上涨的空间。摩根大通还指出，新兴市场的存储板块是另一个具有持久上涨动力的领域，预计存储市场供应受限状况将持续至2028年初。

财联社6月2日电，Arm首席执行官Rene Haas告诉记者，包括高带宽存储芯片、DRAM和NAND在内的各类存储芯片的供需平衡都很紧张。Haas表示，未来一段时间内，供应整体仍将保持紧张。他表示，由于之前下行时期时产能扩张不足，存储芯片仍然是最难解决的瓶颈问题。

财联社6月2日电，报道称三星电子在台北国际电脑展上首次展示第八代高带宽存储芯片HBM5。

财联社6月2日电，存储芯片概念盘中回暖，云汉芯城涨近15%，中电港一度触及涨停，强一股份、太极实业、雅创电子、香农芯创跟涨。消息面上，高盛发布报告指出，存储芯片短缺态势将延续至2028年，市场对存储行业上行周期的持久性认识不足。预计到2027年，传统DRAM、NAND和HBM的供需状况将比2026年更为紧张。

财联社6月2日电，近日，首届集微存储论坛在上海张江举行。与会嘉宾认为，2025年至2027年供需比整体处于供不应求状态，存储芯片涨价趋势有望持续，2027年或成为观察价格趋势的转折之年。但需提及的是，2026年第二季度的存储价格涨幅环比有所收窄，短期可能面临盘整。值得注意的是，AI算力增长由云端训练加速转向端侧推理，为具有低功耗、快速响应优势的利基型存储（包括小容量DDR3/DDR4、NOR Flash、SLC NAND、EEPROM等）带来新机遇。叠加三星、SK海力士等国际巨头纷纷将产能转向高毛利的HBM（高带宽存储）等产品，相关国产芯片公司有望迎来新增长。

财联社6月2日电，慧与科技首席财务官表示，第二财季收入环比增长15%，反映出服务器业务因DRAM和NAND成本持续上涨而导致的平均售价提升。