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18:15:33【三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺 速度较HBM4E提升50%以上】
财联社7月27日电,三星电子27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示,预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上,“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺,并实现更高集成度的硅通孔(TSV)”。具子铉称,三星电子将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力,提前在HBM5中引入2纳米工艺,并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作,引领半导体生态系统进一步发展壮大。
人工智能 半导体芯片 HBM
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
【电报解读】三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺,机构测算HBM存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍,这家公司产品已通过国内主要半导体存储器件厂商验证并取得了批量销售业绩
2026-07-27 18:15:33 957304 阅读
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