财联社
财经通讯社
打开APP
08:47:47【SK海力士猛攻1c DRAM:良率已升至80% 超半数产能年内转换】
《科创板日报》9日讯,SK海力士正在加快提升其10纳米第六代(1c)DRAM的竞争力,用于该工艺的极紫外(EUV)设备投资也比原计划增加了约三倍。业内人士透露,SK海力士正集中精力推进1c DRAM技术的发展,以应用于第七代高带宽内存(HBM)HBM4E核心芯片,并计划于今年交付样品。由于HBM的最大客户英伟达计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”,SK海力士必须加快研发步伐。业内人士透露,SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已升至80%。该公司计划今年将其超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品,预计到年底将确保约19万片的产能。 (dealsite)
半导体芯片 人工智能 HBM
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2026-04-09 08:47:47 716104 阅读
商务合作
热门解锁
相关阅读
评论
热度
最新
发送
复制
取消
垃圾广告
政治激进内容
色情低俗内容
取消