财联社2月12日电，闻泰科技发布关于荷兰企业法庭就安世半导体案件最新裁决的声明。闻泰科技注意到今日荷兰阿姆斯特丹企业法庭（“企业法庭”）针对安世半导体案件做出最新裁决。企业法庭并未撤销此前的错误决定，未能解除对安世半导体实施的临时措施，亦未能恢复闻泰科技作为安世半导体股东的合法控制权。企业法庭同时裁定对安世半导体启动调查程序。我司对这一裁决表示极为失望与强烈不满。

财联社2月12日电，量子芯片与量子网络技术迎来重要突破。国际学术期刊《自然》2月12日凌晨在线发表一项最新成果：我国科学家成功构建国际首个基于集成光量子芯片的大规模量子密钥分发网络。这一量子网络支持20个芯片用户并行通信，组网能力可达3700公里，在芯片用户规模与组网能力上均达国际领先水平。

财联社2月11日电，据“中国电科”微信公众号，中国电科14所华创微创新研发的高性能处理器、首款AI处理芯片近日完成流片及测试，向RISC-V高端处理器及AI处理器领域迈出坚实一步。高性能处理器可为边缘侧高性能计算提供高效算力支撑；AI处理芯片支持90余种常用AI算法模型，用于边缘侧、端侧智能处理场景。

《科创板日报》11日讯，据三星电子首席技术官宋载赫透露，客户对三星的HBM4产品表示满意。三星正准备开发增强型内存芯片，以满足人工智能领域对高性能产品的需求。他表示，三星目前正在开发zHBM，其核心是将HBM堆叠成3D结构，有望在物理人工智能时代所需的带宽或能源效率方面带来另一项重大创新。

财联社2月11日电，安世半导体表示尽管面临艰难处境，公司核心业务依然保持稳健。

财联社2月11日电，上交所官网显示，上海燧原科技股份有限公司科创板IPO审核状态变更为“已问询”。申报材料显示，燧原科技成立于2018年，核心业务聚焦云端AI芯片设计领域。

财联社2月11日电，Wedbush分析师、科技股多头Dan Ives最新表示，在软件股方面，华尔街可能对人工智能（AI）交易存在判断失误。他指出，尽管AI领域的热度大多集中在数据中心、芯片和GPU上，但软件才是“AI革命的心和肺”，那些认为“Salesforce和ServiceNow等大型软件公司存在结构性崩溃”、或“将被AI原生工具取代”的观点是错误的。

《科创板日报》11日讯，根据TrendForce最新发布的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，随着农历新年临近，DRAM现货交易放缓，大多数交易者暂缓报价和购买。由于现货价格远高于合约价格，TrendForce预计短期涨幅有限。与此同时，NAND方面，随着春节假期临近，各晶圆厂陆续放假停产，加上现货价格相对较高，导致市场购买情绪下降。

《科创板日报》11日讯，在存储涨价风暴越刮越猛之际，美国存储芯片大厂美光科技的目标价再获上调。德意志银行大幅上调了美光科技的目标价，同时维持对该股的“买入”评级。德银分析师Melissa Weathers称，她预计动态随机存取存储器（DRAM）的供应紧张局面将持续至2027年乃至2028年——尤其是人工智能（AI）热潮推动了市场对高带宽内存（HBM）的需求激增。

财联社2月11日电，据上海贝岭消息，近日，上海贝岭IGBT芯片BLG80T65FDK7-F在头部客户40KW与60KW电源模块等项目中实现批量交付。

财联社2月11日电，三星电子首席技术官表示，该公司预计，市场对内存芯片的强劲需求不仅将持续今年全年，而且还将持续到明年，因为人工智能推动了强劲的需求。他还重点强调，三星公司的HBM4芯片显示出“良好的”制造良率，客户对其性能表示非常满意。据报道，三星计划在本月晚些时候开始HBM4的大规模生产并将其交付给主要客户。其HBM4芯片使用其1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术）制造DRAM单元芯片，同时使用4纳米工艺制造基板芯片。基于这些技术，三星的HBM4芯片实现了高达每秒11.7Gbps的数据处理速度，超过了联合电子器件工程委员会规定的8Gbps标准。

财联社2月11日电，天眼查App显示，近日，天遂芯愿科技（上海）有限公司发生工商变更，新增国家大基金三期旗下华芯鼎新（北京）股权投资基金（有限合伙）、上海国投先导集成电路私募投资基金合伙企业（有限合伙）等为股东，同时，注册资本由1000万人民币增至9.5亿人民币，增幅9400%。天遂芯愿科技（上海）有限公司成立于去年10月，法定代表人为WAYNE WEI-MING DAI，经营范围包括企业管理、信息技术咨询服务、健康咨询服务等。股东信息显示，该公司现由芯原股份（688521）及上述新增股东共同持股。

《科创板日报》11日讯，存储厂华邦电表示，DRAM短缺状况预计将持续，本季度内存价格预计将飙升90%至95%，而下季度的价格涨幅可能与本季度持平。

财联社2月11日电，据报道，字节跳动正在研发人工智能芯片，并与三星就芯片制造事宜进行谈判。

《科创板日报》11日讯，SK海力士正在开发名为“AIP（All-In-Plug）”的创新技术，以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉，传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻，通过键合工艺连接起来，而AIP旨在通过一次性蚀刻全部NAND层来显著降低制造成本。