财联社4月1日电，台积电计划于2028年在日本开始量产先进的3纳米（3nm）芯片，位于熊本的第二晶圆厂每月产能为15,000片12英寸晶圆，这将是日本国内首度具备3纳米制程的生产能力。

《科创板日报》1日讯，被称为“HBM之父”的韩国科学技术院电气与电子工程学院教授金正浩表示，AI芯片格局即将发生根本性变化，当前由英伟达主导、以GPU为核心的体系，最终转变为受内存主导的架构。尽管现阶段计算架构仍以GPU和CPU为核心，但未来的系统将围绕超大容量内存（如HBM与HBF）构建，处理器则更像是嵌入其中的组件。

《科创板日报》1日讯，英伟达Rubin Ultra传出因量产与封装难度考量，设计可能由市场预期的4颗GPU晶粒下修至2颗。供应链指出，目前晶圆代工端规划以双晶粒（2-die）版本为主，但并未影响整体投片规模，AI芯片需求仍维持强劲。

财联社4月1日电，韩国产业通商部发布的“3月进出口动向”资料显示，3月韩国出口额同比增加48.3%，为861.3亿美元，创下单月最高纪录。其中，半导体出口额同比猛增151.4%，首次突破300亿美元关口，为328.3亿美元。此外，汽车出口同比增加2.2%，为63.7亿美元。石油产品出口额增加54.9%，为51亿美元。

财联社4月1日电，美股芯片存储板块盘前延续上一交易日涨势，希捷科技、闪迪涨超2%，西部数据、美光科技涨近2%。

财联社4月1日电，韩国产业通商部1日发布的“3月进出口动向”资料显示，对中国出口在半导体、石化、无线通信设备等产品的带动下同比增加65%，为165亿美元，连续第5个月保持增势；对美出口则在半导体、电脑出口表现强劲的作用下骤增47.1%，为163.4亿美元。

财联社4月1日电，韩国产业通商部1日发布的“3月进出口动向”资料显示，3月韩国出口额同比增加48.3%，为861.3亿美元，创下单月最高纪录。单月出口自去年6月以来连续10个月刷新最高纪录。3月韩国出口取得好成绩主要归功于半导体。半导体出口额同比猛增151.4%，首次突破300亿美元关口，为328.3亿美元。

财联社4月1日电，汇顶科技4月1日正式推出全新一代柔性OLED触摸屏控制芯片GT9926，并率先商用于OPPO K15 Pro+游戏手机。据了解，该芯片面向新一代轻薄化、高性能OLED柔性屏幕设计，针对高负载、强显示干扰等业界挑战优化升级，为游戏及各类极限使用场景带来更稳定、灵敏、顺滑的触控体验。目前，GT9926已通过主流安卓终端品牌与显示面板供应商验证，将在2026年旗舰和高端智能手机上大规模商用。

财联社4月1日电，北京第四波科技智库联合中关村天成创新研究中心发布《中国脑机接口商业化前瞻报告》。报告显示，2025年以来脑机接口企业融资进入空前活跃期，2026年前三个月，脑机接口企业融资总金额已超2025年全年。2026年，“脑机接口”首次写入政府工作报告，是中国“十五五”时期重点培育的未来产业之一。报告显示，为推动脑机接口产业发展，代表“国家队”的国家创业投资引导基金于2025年12月正式启动，由超长期特别国债资金出资，将“脑机接口”列为七大重点投资领域之一。多个地区针对脑机接口产业设立专项基金。例如，北京2026年2月发布总规模80亿元的“中关村科学城科技成长四期基金”，其中10亿元产业直投部分明确锚定脑机接口等未来产业；上海推动设立数十亿元规模的脑科学与类脑智能专项基金；深圳设立多个脑科学与类脑智能专项基金，支持柔性电极、高通量芯片等上游核心环节研发与产业化。

财联社4月1日电，普冉股份3月31日发布关于产品调价的通知。经过公司管理层的慎重评估和考虑，综合半导体产业供应链多方面分析，决定从2026年4月15日起，对通用MCU相关产品价格进行上调。

财联社4月1日电，天眼查工商信息显示，近日，上海芯三维半导体有限公司成立，法定代表人为王永，注册资本4.32亿美元，经营范围包括集成电路制造、集成电路销售、集成电路芯片及产品制造、集成电路芯片及产品销售、货物进出口、技术进出口等。股东信息显示，该公司由中芯国际控股有限公司全资持股。

财联社4月1日电，“韩国芯片巨头加大在华投资，以应对人工智能领域内存短缺问题。”《韩国时报》3月30日以此为题报道称，最新报告数据显示，韩国两大芯片巨头三星电子与SK 海力士在2025年继续加大中国工厂的投资力度。这一动态战略布局，既是对全球内存芯片市场供不应求现状的直接响应，也凸显了中国在全球半导体供应链体系中的关键地位。据《韩国时报》援引两家公司提交给韩国金融监督院的年度报告，2025年三星电子在陕西西安芯片工厂投资4654亿韩元（约合 3.04亿美元），同比增长67.5%；SK海力士在江苏无锡工厂投资5811亿韩元，同比增长102%，在辽宁大连工厂投资4406亿韩元，较2024年增长52%。据《首尔经济新闻》报道，三星正推进将西安工厂主力工艺进一步升级，以满足人工智能服务器和数据中心对高容量存储的需求。3月30日，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂完成关键工艺制程升级，第八代V-NAND正式实现量产。SK海力士已向无锡和大连工厂投入超过1万亿韩元，用于升级DRAM和NAND生产工艺。

《科创板日报》1日讯，美光科技正尝试首次研发采用堆叠式图形内存（GDDR）技术，公司正在准备必要的设备，并计划于2026年下半年开始工艺测试。堆叠式GDDR性能或不及HBM，但容量更大。公司早期设计预计将采用大约四层堆叠结构，原型产品最早可能在2027年问世。

《科创板日报》1日讯，被称作“HBM之父”的韩国科学技术院教授金正浩认为，随着内存巨头竞相押注HBF等后HBM技术，目前由英伟达主导的以GPU为中心的AI架构最终将转变为以内存为中心的架构。他表示：“GPU将被集成到HBM和HBF中，GPU和CPU将沦为普通的组件。”

财联社3月31日电，存储芯片厂商铠侠（Kioxia）31日再次向客户发布最新停产通知，宣布部分传统浮栅式（FloatingGate）2DNAND以及第三代BiCSFLASH产品将逐步退出市场。此前，铠侠已宣布停产小容量TSOP封装产品。根据通知内容，这些产品的最后客户预测订单截止日为2026年9月30日，而最终出货截止时间为2028年12月31日。

财联社3月31日电，美股芯片存储板块开盘走势分化，闪迪上涨2.5%，希捷科技涨超3%；美光科技跌超2%，此前花旗大幅下调其目标价。