①芯片尺寸的扩大能保证TSV（硅通孔）工艺的稳定性，同时便于散热；
                                    ②三星电子在HBM4核心芯片中采用1c DRAM技术，目前良率约60%；
                                    ③SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了与HBM3E相同的1b DRAM芯片。

①2026年第一季度，全球内存价格环比飙升了80%至90%，创下前所未有的涨幅纪录；
                                    ③内存芯片盈利能力预计将达到前所未有的水平，DRAM的营业利润率在2025年第四季度已达到60%左右。

①SK海力士计划最早于今年推出HBF1样品；
                                    ②金正浩预测，到2038年左右HBF市场将超过HBM市场。
                                    ③随着AI需求不断加大，如今各存储厂商正纷纷扩充产能。