①韩国SK集团董事长崔泰源预测全球内存芯片短缺将持续到2030年，因芯片生产存在系统性瓶颈，且市场对人工智能需求增加；
                                    ②崔泰源预计DRAM、NAND和HBM芯片价格将持续上涨，SK海力士正考虑在美上市发行ADR以扩大投资者群体。

①目前该项技术正处于验证阶段，近期其内部测试已取得积极成果；
                                    ②为增强HBM稳定性，SK海力士计划增加部分上层DRAM芯片的厚度；
                                    ③封装新方案旨在不大幅改变现有工艺流程的前提下，缩小DRAM间距并保持稳定的良率。

①芯片尺寸的扩大能保证TSV（硅通孔）工艺的稳定性，同时便于散热；
                                    ②三星电子在HBM4核心芯片中采用1c DRAM技术，目前良率约60%；
                                    ③SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了与HBM3E相同的1b DRAM芯片。