①芯片尺寸的扩大能保证TSV（硅通孔）工艺的稳定性，同时便于散热；
                                    ②三星电子在HBM4核心芯片中采用1c DRAM技术，目前良率约60%；
                                    ③SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了与HBM3E相同的1b DRAM芯片。

①2月，DRAM和NAND芯片价格同步上涨，DRAM价格创历史新高，均价首次超过13美元，NAND价格飙升超33%；
                                    ②研究机构预计，DRAM价格短期将达峰值，涨幅放缓；而NAND供需失衡情况将持续至下半年，未来价格有望继续上涨。

①英伟达公布强劲的第四财季财报后，股价却在美股市场大跌，被戏称为“英伟达魔咒”；
                                    ②尽管股价跳水，但美国银行、花旗等投行机构仍看好英伟达前景，纷纷上调目标价。