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16:40:52【英飞凌将向奥地利工厂投资11亿欧元 目标量产300毫米晶圆氮化镓功率半导体】
财联社10月27日电,英飞凌10月27日宣布,将在欧洲建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓(GaN)功率半导体大规模生产基地。作为该项目的一部分,英飞凌计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂的现有洁净室设施投入约11亿欧元,旨在利用现有及升级后的基础设施实现产能扩张。该基地计划2027年底投产。
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财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2026-10-27 16:40:52 1088762 阅读
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