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19:31:10【消息称美光正探索开发近GPU NAND闪存以运行更大的LLM】
《科创板日报》3日讯,美光正探索开发高耐久性NAND闪存模块的方案,研究如何将NAND闪存更靠近GPU,以处理那些不需要传统HBM或常规DRAM模块那样高延迟和高带宽的工作负载。这种架构目前被称为“近GPU NAND”(Near-GPU NAND),旨在兼顾密度和耐久性。该方案允许GPU访问密度低于传统TLC或QLC NAND的NAND闪存池,但重点在于提升I/O速度、带宽和读取速度。该技术将使GPU能够直接访问数百GB的潜在存储池,LLM将不再受限于内存。 (TechPowerUp)
半导体芯片
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2026-09-03 19:31:10 795901 阅读
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