财联社8月31日讯（编辑 李莹）近期，用于AI加速器的高带宽内存（HBM）等DRAM产品价格持续飙升。业内近日指出，作为合计占据全球存储芯片市场约70%份额的两大厂商，三星电子与SK海力士已难以跟上激增的DRAM需求。

据韩国国际贸易协会（KITA）当地时间周一公布的数据，韩国AI芯片用DRAM出口量由5月的约6.817亿个降至7月的5.9174亿个，减少13.2%；同期出口总额却从114.3亿美元增至135.5亿美元，增长18.5%。

平均单价由16.76美元涨至22.90美元，涨幅达36.6%。

媒体报道指出，量减价涨的背离，源于HBM4向英伟达等大客户的供货放量：HBM4仍处于量产初期，良率低于上一代HBM3E，生产中消耗的DRAM更多，这令DRAM的整体短缺进一步加深。

韩国半导体产业协会（KSIA）常务董事Ahn Ki-hyun表示：

"HBM往往每推出一代新品，良率就会下降。HBM4售价约为上一代的两倍，因此随着存储厂商提高产量，DRAM消耗量上升，出口总量反而萎缩。"

媒体报道称，供应紧张的另一重推手，是两家厂商将长期协议（LTA）作为销售结构核心，令现货市场进一步趋紧。

据业内消息，三星存储事业部已将2031年前约70%的产能分配给LTA订单，主要交易对象包括英伟达、微软和谷歌等全球科技巨头；而即便是这些客户也无法拿到全部合约量。

HBM争夺战加剧，推动现货价格大幅脱离长协价格。

媒体援引存储市场研究机构MegaGrid Supply最新数据指出，36GB的HBM3E产品现货售价为2100美元，约合287万韩元，是其长期合约价格（约50万至70万韩元）的四到五倍。

而正在准备量产的16层HBM4产品，若通过现货市场采购，价格达3500美元，约合480万韩元；目前并不知道其对应的长协价格。

价格上涨推高业绩

HBM价格上涨会直接转化为业绩。据媒体援引金融投资业分析师测算，两家公司第三季度将再创历史新高。

根据该测算，三星电子第三季度市场一致预期的营业收入为206.64万亿韩元、营业利润为116.38万亿韩元，远高于第二季度的171.50万亿韩元和89.49万亿韩元。

业内指出，营业利润若突破100万亿韩元，不仅在韩国企业中属于首次，在全球科技巨头中也是首次。

SK海力士第三季度营业收入预计为101.76万亿韩元，环比增长28.2%；营业利润79.16万亿韩元，环比增长30.7%。

推进产能扩张

市场普遍判断短缺不会很快化解，三星电子与SK海力士正多线推进产能扩张。

据报道，三星电子器件解决方案部门高管正在评估一项方案：最早于明年将平泽园区唯一一条承接外部客户订单的代工产线S5，改造为存储生产设施。

据业内消息，SK海力士在考虑与当地伙伴在日本设立合资工厂的可能性；业内尤为关注其可能扩大与铠侠的合作——后者为日本最大NAND闪存厂商，SK海力士实际上是其最大股东。

不过扩产难以立竿见影。Ahn Ki-hyun表示："解决芯片短缺需要建设更多生产工厂。即便计划中的新厂投产，短缺也只会得到缓解，而不会被消除。"