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03:54:42【三星公布全新3D内存路线图:zHBM的新系统垂直堆叠于AI加速器之上 晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度】
财联社8月5日电,三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会(FMS)上推出其V10 Bonding V-NAND,即BV-NAND原型产品。三星还展示了其称业界首款zHBM和zNAND-O架构概念模型,该技术通过垂直堆叠存储单元,在更小空间内存储更多数据,其性能约为下一代HBM5的八倍。不同于传统HBM与AI处理器并列封装的方式,三星的zHBM会将存储垂直堆叠于AI加速器之上,以缩短数据传输距离,提高带宽,同时提升能源效率。三星表示,其晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度,同时将能源效率提高3倍,并将热阻降低一半以上。
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2026-08-05 03:54:42 77793 阅读
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