SEMI：2026年全球300mm存储器晶圆厂设备投资首超500亿美元

《科创板日报》30日讯，SEMI最新报告预测，全球300mm存储器晶圆厂设备投资预计将在2026年首次突破500亿美元关口，达到520亿美元，同比增长29%。从领域细分来看，DRAM设备支出将以370亿美元占据整体的71%，同比增幅29%；NAND设备支出则将几乎同步地同比提升28%，来到140亿美元。全球300mm存储器晶圆厂设备投资在2027年预计还将增长11%，来到570亿美元；2024~2029年这六年间的整体CAGR则来到+19%，显示产能建设将长期保持火热。

6月24日，德国汉堡国际超级计算大会（ISC26）发布最新一期IO500全球存储性能榜单，“鹏城云脑Ⅲ”以603334分的成绩斩获IO500全球总榜、研究榜双料第一，大幅刷新世界纪录，标志着我国高端智算技术和系统迈入全域领跑新阶段。

①高通采用专用近内存计算方案，选择将专用近内存加速器堆叠在LPDDR存储堆栈下方；
                                    ②完整加速器级别下，HBC单位功耗带宽是HBM的6倍；单位功耗存储容量是静态存储SRAM的200倍；
                                    ③微软Azure已确认将部署高通的HBC芯片。