财联社
财经通讯社
打开APP
15:36:59【三星电子展出业界最小3D堆叠晶体管】
《科创板日报》17日讯,近日,三星电子实现了业界最小的3D堆叠晶体管。在最近于美国举行的VLSI 2026上,该公司展示了其在实现栅极间距为42nm的3D堆叠场效应晶体管(3D堆叠FET)方面取得的成果,该技术将晶体管垂直堆叠而非放置在平面上,预计将应用于系统半导体领域。
半导体芯片
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2026-06-17 15:36:59 1003666 阅读
商务合作
热门解锁
相关阅读
评论
热度
最新
发送
复制
取消
垃圾广告
政治激进内容
色情低俗内容
取消