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15:28:40【消息称三星电子1d DRAM有望明年年底初步量产】
《科创板日报》17日讯,三星电子正携手多家合作伙伴,加紧研发用于量产第七代10纳米级(1d)DRAM的设备。业内人士透露,虽然时间表可能会有所调整 ,但量产设备拟于明年第二季度或第三季度导入。考虑到实际量产准备所需的时间,预计三星电子最早也要到明年年底才能开始1D DRAM的初步量产。1d DRAM的电路线宽为10至11纳米。目前商用的最新一代产品是第六代1c DRAM,其线宽约为11至12纳米。线宽越窄,DRAM的性能和能效越好。知情人士表示,三星电子的1d DRAM预计被用于第九代高带宽内存(HBM5E)的核心芯片,该产品拟于2029年实现商业化。 (ZDNET Korea)
半导体芯片 HBM
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2026-06-17 15:28:40 1478732 阅读
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