《科创板日报》6月4日讯 在今日（6月4日）的股东会上，台积电董事长兼总裁魏哲家透露，台积电目前已建设CoPoS试产线，预计2-3年产量才能达到相当大的规模。他强调，先进封装与新材料技术发展没有捷径，重点在于与客户共同验证，并确保量产效率与良率表现。

本次魏哲家给出的时间点较其此前更为明确，4月魏哲家曾表示，正在搭建CoPoS试产线，预计几年后量产。

台积电的CoPoS技术与关注度高涨的玻璃基板紧密相关。其采用方形面板设计，以玻璃基板取代部分传统材料，意在支持更大尺寸AI与HPC芯片封装需求。

相较于既有CoWoS，CoPoS被看作台积电下一阶段提高先进封装效率与扩大产能的重要方向。CoPoS所需的玻璃材料须具备低热膨胀系数、高频低损耗、高平坦度，以及可进行玻璃穿孔等特性，以降低大尺寸封装可能出现的翘曲与良率挑战，且支持更精细的重布线层制程。

也正是基于玻璃基板的优异特性，产业链竞相加速布局，例如英特尔2023年宣布推出业界首款用于下一代先进封装的玻璃载板，预计2026至2030年间量产。

不久前英特尔拟在美国新墨西哥州里奥兰乔建设首个玻璃基板量产制造基地。之后印度政府宣布，英特尔与3DGS计划在印度东部奥里萨邦投资约33亿美元，建设一座基板制造工厂，聚焦先进封装玻璃基板、高密度互连基板及相关半导体技术，该工厂建成后预计年产玻璃基板约7万片、约5000万个组装单元及近1.3万个先进3D异构集成模块。

值得注意的是，英特尔的玻璃基板技术路线与台积电不同，其Glass-Core路线以玻璃芯板替代ABF有机载板芯层，台积电则是以方形玻璃面板和多层RDL替代传统硅中介层。除了这两种线路之外，产业另一个主要路径则是CPO光电共封装方向，玻璃基板可同时承载高速电互连与低损耗光互连，成为光电共封装的重要底层材料。

东吴证券将玻璃基板称为“AI时代先进封装的新一代底座”。

分析师认为，玻璃基板制造核心可概括为“TGV通孔成型、通孔金属化填充、表面RDL布线、后段检测封装”四大环节。整体看，TGV成孔精度、孔内无缺陷填充、铜层附着力、多层RDL对准精度和冷热循环可靠性，是决定玻璃基板从中试走向量产的核心瓶颈。建议重点关注具备原片配方、TGV加工、金属化填充、RDL布线和客户认证能力的产业链环节。