《科创板日报》6月4日讯（编辑 宋子乔） 黄仁勋的“金手指”点到纳微半导体，当地时间6月3日，该公司宣布与英伟达MGX生态系统合作，加速800伏直流人工智能基础设施建设。

截至美股周三（6月3日）收盘，纳微半导体（NVTS.US）股价收涨19.26%，股价创上市以来新高，过去一年该公司股价累计涨幅超三倍，目前总市值72.08亿美元。据其此前公布的2026财年第一季度，当期营收为860万美元，超出市场预期。

MGX是英伟达面向新一代AI工厂打造的标准化模块化整机架参考架构与开放产业生态，是当前英伟达推进800 VDC高压直流数据中心落地的底层硬件标准，覆盖算力、供电、散热、网络全链条，也是纳微半导体切入英伟达AI供应链的核心载体。双方的合作涵盖从Rubin Ultra平台到“Kyber”机架级系统的完整供电方案。

纳微半导体于5月29日在COMPUTEX 2026上展示的800V至6V直流-直流电源分配板（PDB），正是这一合作的具体落地产品。

该产品专为英伟达新一代AI数据中心800 VDC机架架构设计，旨在提升系统效率与功率密度。

其最大亮点是省去传统48V中间总线转换模块，依托16颗自研GaNFast氮化镓芯片实现800V直降6V，峰值供电效率97.5%、功率密度达2100W/立方英寸，板体厚度较智能手机薄两成，可近距离贴合GPU布设，大幅缩减布线损耗与机房空间占用。

该产品对AI电力系统具备关键支撑作用。800 VDC架构可降低线缆铜耗、压缩机房配电成本，而纳微半导体的氮化镓+碳化硅方案是整套高压配电落地的硬件基础，能够解决巨型AI工厂多GPU集群瞬时功耗波动大、供电损耗偏高的行业痛点，帮助数据中心压缩配电综合能耗，适配吉瓦级AI算力园区规模化落地需求。

纳微半导体首席执行官Chris Allexandre表示，随着AI工作负载持续扩展，电力传输已成为构建下一代吉瓦级AI工厂最关键的挑战之一。

纳微半导体专注于氮化镓和碳化硅第三代功率半导体，产品广泛应用于AI电源领域，可提供从电网接入到芯片的完整供电方案，是AI浪潮中“电力革命”这一细分赛道的代表性企业。

AI工作负载对电力的需求将达到传统计算的100至1000倍，对供电架构提出了前所未有的挑战，这一背景下，纳微半导体正从传统的消费电子与移动市场，转向高增长、高利润的高功率应用领域，包括AI数据中心、能源与电网基础设施等。

其GaNFast氮化镓技术实现了800V直接到6V的降压转换，消除中间48V总线转换器环节，目标峰值效率达97.5%，功率密度高达2100W/in³；在碳化硅（SiC）方向，该公司的GeneSiC解决方案支持从电网到AI计算机架的高效电力传输，涵盖采用2300 V和3300 V SiC功率模块的固态变压器，以及基于第五代技术1200 V SiC MOSFET的高功率三相电源供应单元。