铠侠计划2027年量产第十代BiCS 3D NAND闪存

《科创板日报》25日讯，据报道，业内消息人士指出铠侠计划在2027年量产第十代BiCS FLASH产品，相关投资细节待到2026H2会更为明朗。这一时点晚于此前曝光的2026年量产计划。从技术规格来看，BiCS10采用332层单元堆栈架构，相比现款218层的BiCS8增加约52%，密度提升高达59%，且配合Toggle DDR 6.0接口标准，其I/O传输速率从上一代的3.6G bps提升至4.8G bps(增幅约33%)，同时输入功耗降低10%、输出功耗降低34%，在标准TLC模式下可实现单颗2Tb的储存容量。 (ZDNET Korea)

①韬(τ)定律提出以“时间(τ)缩微”替代“几何缩微”作为半导体与电子系统演进的新指导原则。
                                    ②基于韬(τ)定律，华为已设计并量产了381款芯片。将于2026年秋季面世的麒麟芯片，率先采用了逻辑折叠技术。

①国内存储芯片龙头资本化进程加速，半导体设备订单确定性愈发凸显；
                                    ②中芯国际与华虹半导体产能已逼近满载，两者2026年资本开支计划均有不同程度提升；
                                    ③SEMI预测，全球半导体设备销售额将2027年继续增长，连续三年刷新历史纪录。