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20:46:53【三星HBM3E和HBM4 DRAM良率提高】
财联社5月19日电,据媒体援引内部消息人士透露,三星电子DS部门最近将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代(1b)DRAM的良率提高到92%(基于冷态测试),并将安装在HBM4上的第六代(1c)DRAM的良率提高到75%以上。
半导体芯片 TMT行业观察 HBM
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2026-05-19 20:46:53 729577 阅读
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