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14:55:18【SK海力士:HBM混合键合工艺良率已得到提升】
《科创板日报》28日讯,SK海力士宣布,其高带宽存储器(HBM)混合键合工艺的良率已得到提升。公司技术负责人金钟勋(Kim Jong-hoon)表示,采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作已经完成,目前正在提高良率,以便将其应用于量产。 (TheElec)
HBM 存储器 半导体芯片
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2026-04-28 14:55:18 1221734 阅读
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