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10:47:30【三星电子HBM4良率仍低于60%】
《科创板日报》15日讯,三星电子第六代高带宽内存(HBM4)的良率仍低于60%,该公司计划在今年下半年将HBM4 DRAM的良率提升至接近完工的水平,以加快对包括英伟达在内的主要人工智能客户的响应速度。另一方面,三星电子的1c DRAM良率已超过80%,达到所谓的“成熟良率”。 (ChosunBiz)
人工智能 HBM 存储芯片
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2026-04-15 10:47:30 439219 阅读
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