财联社3月27日电，SK海力士CEO郭鲁正周四在股东大会上表示，随着多样化的人工智能生态系统的扩大，以及中国DeepSeek等新的生成型人工智能模型带来的额外需求，HBM的需求将持续增长。他预测，与2023年相比，今年HBM市场将增长9倍，企业固态硬盘（eSSD）市场将增长3.5倍。因此，SK海力士预计HBM产品在其存储芯片总销售额中的占比将从2024年的40%上升到2025年的50%以上。

《科创板日报》27日讯，SK海力士表示，2025年HBM产能已售罄，将在上半年与客户完成关于2026年HBM产能的谈判。

《科创板日报》25日讯，美光宣布其用于英伟达GB300 Grace Blackwell Ultra的SOCAMM内存模组，以及针对英伟达HGX B300 NVL16及GB300 NVL72平台打造的HBM3E 12H 36GB已量产出货。

《科创板日报》25日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，此举有助供应链中DRAM的库存去化。展望第二季，预估Conventional DRAM（一般型DRAM）价格跌幅将收敛至季减0%至5%，若纳入HBM计算，受惠于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为季增3%至8%。

《科创板日报》21日讯，三星电子近日在博通的8层HBM3E质量测试中表现出色。分析表明，博通理想的HBM3E速度要求正在得到满足，并且已接近进入供应链。

《科创板日报》20日讯，由于博通HBM订单激增，SK海力士计划比原计划提前两个月在其新M15X工厂引入设备。设备交付原定于12月进行，现已提前至10月。

财联社3月19日电，韩国半导体供应商SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并在全球首次向主要客户提供其样品。SK海力士表示，公司将在下半年完成量产准备。

《科创板日报》19日讯，SK海力士宣布，将在GTC 2025上展示计划于今年下半年量产的第6代高带宽存储器HBM4，以及下一代AI服务器存储器标准SOCAMM。

《科创板日报》18日讯，消息称，三星最新HBM3E在日前英伟达的审核中获得令人满意的评分，预计最快6月初通过英伟达等的品质认证。此前三星HBM3E未能如期获得英伟达品质认证，可能与功耗表现未达标准有关，三星通过设计变更等方式，改善发热等问题。

《科创板日报》18日讯，SK海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。

《科创板日报》17日讯，知名分析师郭明錤发文对英伟达GTC 2025重点进行预测。他表示，新AI芯片B300为发布会的关键重点，包括CoWoS-L与CoWoS-S，最大亮点为HBM自192GB显著升级至288GB，运算效能较B200提升50%。B300预计在2Q25试产并于3Q25量产。此外，端侧AI也是英伟达的长期关键趋势，但预期GTC 2025会聚焦在AI服务器，市场期待的AI PC方案N1X与N1较有可能在今年Computex才会公布。

财联社3月13日电，在日前MemoryS 2025存储峰会上，闪存市场总经理邰炜指出，人工智能让存储变得更为的基础、更为的关键，大容量存储需求旺盛，去年已经出现供不应求局面。预计今年AI手机渗透率将提升至30%，AI PC落地更加快速，存储将在智能汽车中发挥重要作用。据统计，HBM在DRAM产业占比已经将近30%，而去年服务器内存消耗已经超过手机，预计今年还会继续增长。

《科创板日报》13日讯，英伟达高管于近日访问了三星电子位于天安的封装工厂，审计和测试第五代高带宽内存HBM3E。三星计划在今年第一季度末向主要客户供应HBM3E 8层产品，并力争在上半年完成12层产品的交付。为应对紧张的交付期限，三星甚至将研发下一代HBM4的部分人力投入到HBM3E项目中，此次访问被认为HBM3E供应进入最后冲刺阶段。

《科创板日报》7日讯，三星电子正在为成为谷歌最新款TPU的HBM供应商不断进行测试。虽然相比SK海力士和美光进入验证的时间较晚，但最近的测试结果比以往更为积极。

财联社2月27日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第四季全球DRAM产业营收突破280亿美元，较前一季成长9.9%；由于Server DDR5的合约价上涨，加上HBM集中出货，前三大业者营收皆持续季增。平均销售单价方面，多数应用产品的合约价皆反转下跌，只有美系CSP增加采购大容量Server DDR5，成为支撑Server DRAM（服务器内存）价格续涨的主因。展望2025年第一季，随着进入生产淡季，整体原厂出货位元量将季减。价格部分，因PC OEM、手机业者持续去化库存，DRAM供应商将DDR4及部分HBM产能回流至Server DDR5，CSP采购动能放缓，预估第一季一般型DRAM合约价及一般型DRAM及HBM合并的整体合约价皆下跌。

《科创板日报》27日讯，消息称SK海力士的第6代12层堆叠高带宽内存HBM4测试良率已达70%。

《科创板日报》19日讯，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门首席技术官宋在赫表示，搭载LPW DRAM内存的首款移动产品将在2028年上市。LPW DRAM通过堆叠LPDDR DRAM，大幅增加I/O接口，可减少耗电量并提高性能，采用垂直引线键合的新封装技术，被誉为“移动HBM”。其带宽可达200GB/s以上，较现有的LPDDR5x提升166%。

财联社2月18日电，TechInsights平台上发布报告称，2025年第一季度，市场上将首次推出D1c的一小部分产品，首先由SK海力士推出。D1c世代将在2026年和2027年占据主导地位，包括HBM4 DRAM应用。从市场角度看，HBM产品，尤其是HBM3和HBM3E，性能卓越但目前价格高昂，而传统产品如LPDDR5和DDR5器件则价格较低且性能相对较弱。未来AI和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量，例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片，但目前市场上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中，应开发3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商，作为下一代DRAM缩放的候选方案。D1a和D1b是市场上的主流产品。到2027年底，我们预计DRAM将迈入个位数纳米技术节点，如D0a，随后将是0b和0c世代。

财联社1月31日电，英伟达据悉批准了三星的8层HBM3E人工智能存储芯片。