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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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  • 昨天 10:01 来自 TheElec
    《科创板日报》5日讯，SK海力士将于2025年初提供其第5代高带宽内存(HBM)或HBM3E 16H的样品。
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  • 11-04 16:00 来自 财联社 黄君芝
    英伟达需求太火爆？SK海力士：黄仁勋要求HBM4芯片提前6个月交货！
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  • 11-04 11:16 来自 财联社
    财联社11月4日电，SK海力士首席执行官表示，将于2025年初推出16层HBM3E芯片，并计划在2028年至2030年期间推出HBM5芯片。
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  • 11-04 09:46 来自 财联社
    财联社11月4日电，英伟达据悉要求SK海力士将HBM4芯片的供应提前6个月。
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  • 10-30 14:03 来自 财联社
    TrendForce：HBM5 20hi后产品或采用混合键合技术
    《科创板日报》30日讯，HBM产品已成为DRAM产业关注焦点，这使得Hybrid Bonding (混合键合)等先进封装技术发展备受瞩目。根据TrendForce集邦咨询最新研究，三大HBM原厂正在考虑是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已确定将在HBM5 20hi世代中使用这项技术。
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  • 10-29 14:18 来自 台湾工商时报
    需求转弱 DRAM及NAND报价或下跌
    《科创板日报》29日讯，模组厂预期，第四季度仅eSSD与HBM产品出货量和价格增加，其他存储产品如DRAM及NAND将停滞不前。这是由于消费性产品如手机及PC将与需求持平，仅服务器相关需求持续走强。
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  • 10-29 10:44 来自 闪存市场
    DDR4、DDR5巨大价差影响部分服务器客户切换至DDR5动力
    《科创板日报》29日讯，随着支持DDR5的Intel EMR和AMD Bergamo处理器平台渗透率的增加，DDR5在服务器上的应用需求在今年迎来快速的增长。但因原厂DRAM产出受到HBM大规模量产的挤出效应，此前服务器DDR5产品供应相对紧张，导致服务器DDR5产品价格在今年以来大幅上涨。而通用型服务器需求的降温，以及产业链各环节较高的库存，尽管原厂已经在削减服务器DDR4产出，服务器DDR4在短期来看依然供过于求。根据CFM闪存市场数据显示，截至9月底，DDR5 64GB与DDR4 64GB价差近70%。DDR5与DDR4巨大价差以及高资本投入下对投入产出比的权衡已经影响部分客户推动DDR5渗透的动力。
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  • 10-28 08:57 来自 台湾电子时报
    业内人士称第四季DDR5涨幅将转为平缓 2025年HBM价格势必上涨
    《科创板日报》28日讯，存储器业内人士表示，在规格升级带动下，HBM价格2025年势必将向上扬升。服务器存储器如DDR5等，在近一年多来已持续拉抬价格，但相较于HBM价差仍有3~4倍以上，预估DDR5涨势也将能延续至2025年。不过服务器客户的采购动能趋缓，库存逐渐垫高，加上DDR5供给逐渐改善，第四季涨幅将转为平缓。
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  • 10-24 11:19 来自 科创板日报 张真
    龙头炸裂财报验证HBM火爆需求 A股哪些半导体公司有望受益？
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  • 10-24 10:08 来自 财联社 黄君芝
    AI需求火爆又一力证：SK海力士Q3利润和营收均创新高！
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  • 10-24 08:37 来自 财联社
    财联社10月24日电，SK海力士称，预计明年HBM的需求将高于预期；明年HBM需求仍将大于供应。
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  • 10-24 08:20 来自 财联社
    财联社10月24日电，SK海力士称，三季度HBM3E的出货量高于HBM3。
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  • 10-23 14:51 来自 财联社
    SK海力士CEO：HBM3E量产如期进行
    《科创板日报》23日讯，针对12层HBM3E产品的量产计划，SK海力士CEO郭鲁正表示，虽然无法透露具体客户，但出货、供应时间等，都将按照原计划进行。
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  • 10-22 10:54 来自 ZDNet
    三星计划年底前建成首条1c DRAM产线
    《科创板日报》22日讯，三星电子计划在今年年底前建成第一条1c DRAM（第六代10纳米级DRAM）量产线，三星电子决定使用1c DRAM作为第六代HBM和HBM4的核心芯片，并计划于明年底发布。
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  • 10-17 12:53 来自 ZDNET Korea
    消息称SK海力士削减CIS研发投入 专注HBM及AI存储器开发
    《科创板日报》17日讯，消息人士透露，SK海力士正在削减其商业性较低的图像传感器和代工业务，加强专注于高利润的高带宽存储器（HBM）和AI存储器。SK海力士正在削减其CMOS图像传感器（CIS）研发投入，产能预计较去年减少一半以上，至每月不足7000片12英寸晶圆。此外，负责设计存储控制器等的片上系统（SoC）设计部门的人员也被转移并重新分配到HBM部门。
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  • 10-16 14:07 来自 Newsis
    消息称三星HBM3E年内通过英伟达验证的可能性不大 或直接跳至HBM4
    《科创板日报》16日讯，韩国多位业内人士透露，三星HBM3E接受英伟达验证超过1年，原本最迟应在2024年第3季度通过验证，但截至目前为止仍未通过验证。三星HBM3E在2024年底前通过英伟达验证的可能性不大，展望2025年之后，HBM4将成为市场主流，三星很可能跳过HBM3E，专注于HBM4供应。
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  • 10-16 13:23 来自 ZDNET Korea
    消息称三星电子HBM3E商业化迟缓或与DRAM制程有关 考虑重新设计1a DRAM电路
    《科创板日报》16日讯，据业界消息，三星电子的HBM商业化迟缓或与HBM核心芯片DRAM有关，1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应。据知情人士透露，三星正在内部讨论重新设计部分1a DRAM电路的计划，但尚未做出最终决定，因为这一决定需要承受各种风险，如果重新设计，预计至少需要六个月才能完成产品，直到明年第二季度才能实现量产。
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  • 10-14 14:13 来自 财联社
    韩国9月半导体出口额为136.3亿美元 创历史新高
    财联社10月14日电，韩国科学技术信息通信部14日发布的一项数据显示，今年9月韩国信息通信技术（ICT）出口额同比增长36.3%，为223.6亿美元，连续11个月保持增势，创下历年单月第二高纪录。按领域看，得益于人工智能（AI）技术潮推高服务器投资，半导体出口额为136.3亿美元，创历史新高。其中，存储半导体出口额同比大增60.7%，为87.2亿美元；系统半导体增长5.2%，为43.7亿美元。据科技部分析，市场对高带宽内存（HBM）等高附加值产品的需求增加，推动存储半导体出口大增，为半导体出口额创新高作出贡献。
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  • 10-10 14:29 来自 ZDNET Korea
    消息称三星电子因向大客户英伟达供应延迟调减HBM内存产能规划
    《科创板日报》10日讯，三星电子因向大客户英伟达供应HBM3E内存出现延迟，将2025年底的HBM产能预估下调至每月17万片晶圆。
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  • 10-09 15:21 来自 财联社
    TrendForce：第四季存储器均价涨幅将大幅缩减
    《科创板日报》9日讯，TrendForce集邦咨询预估，第四季存储器均价涨幅将大幅缩减，其中，一般型DRAM涨幅为0%至5%之间，但由于HBM比重逐渐提高，DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%，较前一季涨幅明显收敛。
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