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14:31:55【消息称三星电子SF1.0工艺采用forksheet器件结构 目标2030年前开发】
《科创板日报》31日讯,三星电子的晶圆代工业务已定下2030年前完成1nm级先进制程工艺SF1.0开发并转移至量产阶段的目标。SF1.0将采用forksheet叉片晶体管器件结构,这是现有nanosheet GAA全环绕栅极晶体管的演化。其在标准GAA的基础上新增介质壁,可进一步提升晶体管密度与性能。此外,三星电子计划2027年实现 SF2P+工艺的商业化投产,特斯拉的AI6芯片则将用SF2T工艺于2027年量产。 (韩国经济日报)
半导体芯片
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2026-03-31 14:31:55 1770435 阅读
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