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10:05:57【消息称三星电子将停产2DNAND 闪存 原有产线用于1c nm DRAM内存制程】
《科创板日报》26日讯,三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存,该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产,不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造,负责后端的金属布线和表面处理工艺。 (TheElec)
半导体芯片
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2026-02-26 10:05:57 2825219 阅读
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