消息称三星电子1c DRAM良率超80% HBM4良率接近60%

《科创板日报》25日讯，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，2025年第四季度其良率约为60-70%，如今已显著提升，并有望在5月份左右达到90%。业内人士进一步表示，三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。 (ET News)

①美光科技即将公布第二财季（截至2月底）财报，投资者对其充满期待，股价已创下新高。
                                    ②分析师预计美光第二财季营收将同比增长超过一倍，达到192.7亿美元，每股调整后盈利预计为8.75美元，比去年同期增长4倍有余。

①三星半导体业务执行副总裁韩进万表示，明年市场对LPU的需求有望实现进一步增长；
                                    ②三星电子已确认正在开发HBM5，其底层芯片或采用2纳米工艺；
                                    ③自本周以来，三星电子已累计涨超11%，该公司市值已突破1370万亿韩元。