我国芯片制造核心装备取得重要突破

①中核集团中国原子能科学研究院成功研制出我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H），核心指标达国际先进水平； ②该设备是半导体制造“四大核心装备”之一，此前我国完全依赖进口，其研发难度大、技术壁垒高。

财联社1月17日讯，据中核集团消息，近日，由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标达到国际先进水平。这标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链关键环节，为推动高端制造装备自主可控、保障产业链安全奠定坚实基础。

离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的“刚需”设备。此次高能氢离子注入机的成功研制，是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力“双碳”目标实现、加快形成新质生产力提供强有力技术支撑。

长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖国外进口，其研发难度大、技术壁垒高，是制约我国战略性产业升级的瓶颈之一。原子能院依托在核物理加速器领域数十年的深厚积累，以串列加速器技术作为核心手段，破解一系列难题，完全掌握了串列型高能氢离子注入机从底层原理到整机集成的正向设计能力，打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断。

①闪迪计划于今年下半年推出原型产品，日本已成为其生产基地的热门候选地；
                                    ②近期，闪迪与SK海力士联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的HBF全球标准化战略；
                                    ③过去一年，得益于AI热潮下的存储芯片超级周期，闪迪已涨逾2900%。

①村田预计将于4月30日在财报发布会上公布其MLCC定价策略；
                                    ②该公司或将在回顾第一季度市场需求后，解释是否以及在多大程度上进行价格调整；
                                    ③据悉，各公司正致力于扩大人工智能服务器和汽车电子产品的占比。