①12月19日至20日,摩尔线程首届MUSA开发者大会将拉开帷幕;
②摩尔线程目前总市值3530亿元;
③摩尔线程上市后前5个交易日不设涨跌幅限制,上市首日即可作为融资融券标的。
《科创板日报》12月12日讯(记者 陈俊清) 由《科创板日报》联合紫竹创业孵化器举办的“新质生产力行业沙龙——集成电路专场”,今日(12月12日)下午在上海闵行区圆满落幕。
本次活动吸引了多方重磅参与,其中在路演环节,5个前沿集成电路优质项目集中亮相,分别为“压电MEMS/高端半导体设备模块工艺平台及创新器件解决方案商”、“先进制程高端工艺的IP及EDA工具”、“第三代半导体碳化硅以及IGBT功率芯片”、“基于微机电铸造技术的晶圆级厚金属应用方案技术”、“AI绿色能源驱动器芯片”。
上海集成电路产业投资基金、紫竹小苗基金、紫竹科投基金、君信资本、容亿投资、和利资本等投资机构代表参加上述沙龙。此外,南芯科技、元禾控股、上海国际集团国和基金等上市企业与投资机构代表赶赴现场,围绕集成电路产业发展动态、企业成长路径等议题进行深入交流,碰撞出思想火花。

科创生态构建与集成电路发展新机遇
财联社编委、《科创板日报》总编辑徐杰在致辞时表示,在当前科创大时代,构建生态至关重要,需要企业、投资机构、媒体及园区等多方共同参与。作为连接各方的重要纽带,《科创板日报》积极发挥作用,加快科创信息的流动与传播,推动一级与二级市场、科技企业与金融机构、产业与资本之间实现高频互动与交流,从而迸发更多创新火花。
徐杰表示,通过构建体系化的媒体传播矩阵与数据产品(如:企业创新力评测、融资概率预测等),举办中国科创领袖峰会暨科创板开市周年峰会、中国科创大会与系列产业沙龙,以及开展品牌发布、投融资对接、投资者交流等多元化服务,《科创板日报》正致力于陪伴科创企业从创业到上市的全周期成长,构建服务于整个科创生态的主阵地。
紫竹创业孵化器总经理丁嘉敏在致辞时表示,紫竹高新区历经20多年发展所形成的新面貌,已成为“宜居、宜业、宜游、宜养、宜创”的综合性科创社区。紫竹创业孵化器正积极推动“三个融通”,即:投资与孵化融通、跨地域融通、产业跨界融通,以构建更富活力的创新能量场。
丁嘉敏表示,紫竹创业孵化器拥有毗邻高校、国家重点实验室及总部研发机构的独特优势,始终致力于服务高能级研发人群与创新主体。“期待与各界伙伴深化合作,共同将高新区打造为技术、资本与产业深度融通的高质量发展平台,为上海及长三角的科创事业贡献力量。”
上海科技成果转化促进会会长、九三上海制造专委会主任唐石青在致辞时表示,上海首批科创板上市企业中不少来自集成电路产业,是促进会长期的服务对象。
唐石青表示,无论是从长期科技管理工作的角度,还是从目前促进科技成果转化的角色出发,创业者与投资者都是“一股最勇敢的力量”,“正是他们的努力,创造了许多的经济奇迹。希望投资人能以更大的胸怀支持中国集成电路行业,助力相关企业取得更好发展”。
前沿项目集中亮相 硬核科技突破引关注
在路演环节,各项目代表紧扣集成电路行业前沿趋势,依次详细介绍了各项目在技术攻关、市场应用等方面的最新突破与阶段性成果。
具体来看,“压电MEMS/高端半导体设备模块工艺平台及创新器件解决方案商”项目团队共95人,研发和工艺人员占比80%以上。其主营压电MEMS传感器执行器芯片与高端半导体设备模块与芯片的研制与销售,拥有国内首条8英寸压电MEMS晶圆专用工艺线,工艺能力800片晶圆/月。
该项目围绕新兴MEMS蓝海市场与高端半导体设备关键模块方向进行研发与产业化。据Yole预测,芯片扬声器是所有MEMS芯片中唯一正在快速起量的品类。而芯片扬声器也是该项目所在团队的主要产品之一,其于今年7月开始小批量供货,具备小电压驱动、体积小的特点。
其另一个主要产品压电MEMS主动散热芯片则有望突破传统主动散热体积瓶颈,可嵌入智能手机、智能眼镜等终端设备,解决AI端侧设备高发热难题,正配合客户进行可靠性试验,预计明年正式发布。
在高端半导体设备模块领域,该公司光强测量部件多种不同规格产品已实现量产并出货,测距传感芯片一代产品多个已实现量产并出货。
对于中长期发展规划,该团队负责人表示,面向国家与客户需求,将根据订单情况,进行相应的扩产。
“第三代半导体碳化硅以及IGBT功率芯片”项目成立于2025年3月,主要产品为第三代半导体碳化硅以及IGBT功率芯片。虽成立时间较短,但该项目核心团队拥有超过30年功率芯片设计经验及电源系统开发能力,曾任职于英飞凌、恩智浦、安森美、国际商业机器公司等。
据介绍,为应对全球供应链重组的趋势,该项目将建立两套独立的营运模式,专门为国内外客户提供采购与出货服务。
商业化进展方面,该项目碳化硅650V/1200V/1700V/2200V/3300V;IGBT 650V/1200V;晶圆、器件、模块已量产接单,在光伏、储能、充电桩、新能源车及工业服务器等领域应用,已陆续接单出货。
对于当前全球市场情况,该项目负责人表示,中国碳化硅MOSFET芯片制作工艺,还需1.5至3年时间追赶上国际大厂。“目前公司主要竞争者是ST、Infineon、onsemi、Rohm等国际大厂,大厂毛利率在45%以上,公司SiC/IGBT产品取代国际大厂市场,成长空间大。”
微制造与绿色驱动并进 拓展集成电路应用新边界
模具与压铸是各行业制造机械部件的重要技术。一般模具的加工精度可以到一丝(即10微米)。模具一般用于数毫米至数米器件的压铸成型。“基于微机电铸造技术的晶圆级厚金属应用方案技术”项目则基于半导体技术,开发了一种以硅片作为模具的压铸成型技术,可用于尺寸只有几十微米(最小可到2丝)金属结构的压铸成型。
据介绍,该项技术可用于芯片式线圈、射频滤波器、微保险等几十到几百微米尺度复杂金属结构器件的批量式制造。目前有多款基于这项技术的产品在进入客户导入。
当前,机器人、新能源汽车、人工智能数据中心等快速发展,推动了以高压驱动、驱动模块为代表的高压功率集成电路与半导体产品的需求增长。高压栅极驱动技术、高压隔离技术发展需求进一步提升。
面对目前庞大的市场需求,“AI绿色能源驱动器芯片”项目聚焦驱动技术领域形成专精特新布局,拥有高压驱动、驱动模块两大产品系列。高压驱动产品方面,该项目拥有HVIC驱动产品线、磁隔离驱动产品线以及GaN驱动产品线。其中,GaN驱动产品线技术优势在于技术优势高可靠性,且实现MHz高频应用,拥有高能效GaN Module核心技术。
驱动模块产品方面,该项目IPM模块拥有高可靠性、超高效率、易用性、中小功率的性能成本最佳等核心优势。
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