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13:06:29【消息称三星1c DRAM良率提升至70%】
《科创板日报》4日讯,消息称三星采取的设计变更战略奏效,5月其10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的晶圆效能测试中,达成有意义的良率,即冷态环境下测试良率约50%,热态条件下测试良率达60~70%。
半导体芯片
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2025-06-04 13:06:29 3041106 阅读
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