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09:58:05【上海科研团队研制出超高速闪存 眨眼间能完成10亿次存储】
财联社4月17日电,据上海市科委消息,集成芯片与系统全国重点实验室周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型在理论上,预测了超注入现象打破了现有存储速度的理论极限研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件。其擦写速度可提升至亚1纳秒。400皮秒相当于每秒可执行25亿次操作,是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。相关成果以《亚纳秒超注入闪存》为题于北京时间4月16日晚间在《自然》(Nature)期刊上发表。
半导体芯片
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眨眼间能完成10亿次存储 上海科研团队研制出超高速闪存
2025-04-17 09:58:05 2580588 阅读
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