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16:45:48【消息称三星电子准备采用常规结构的1e nm DRAM内存】
《科创板日报》30日讯,三星电子准备启动采用常规结构的1e nm制程DRAM,实现先进内存开发多轨化,为未来可能的商业化提供更丰富技术储备。据悉,1e nm DRAM有望于2028年推出。 (The Bell)
半导体芯片
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2024-12-30 16:45:48 2703381 阅读
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