①知名分析师郭明錤今日发文称,Vishay的MOSFET和聚合物钽电容的订单情况超乎预期。 ②由于纳入GB200供应链,MOSFET于2025产能已经满载,聚合物钽电容面临供不应求。 ③各方观点,功率器件厂商围绕AI服务器的争夺战已经打响,被动元件也有望持续景气。
《科创板日报》11月12日讯 HBM从面向通用市场转向“客户定制化”的趋势正在加速。
今日,据台湾电子时报报道,三星正在为微软和Meta供应量身打造的HBM4内存。据悉,微软和Meta分别拥有名为Mia100和Artemis的人工智能芯片,此次三星供应定制化HBM4内存,即是满足两家公司上述产品对高性能内存的需求。
与此同时,三星显露出扩大HBM产能迹象。有消息人士透露,目前三星正在建立一条HBM4专用生产线,目前正处于“试生产”阶段,以便在量产之前进行试制。另据韩联社今日报道,三星计划在现有封装设施的基础上兴建服务于HBM内存的半导体封装工厂。
报道还指出,业界预期从HBM4开始,除了存储器功能外,HBM还需具备能够执行客户独立需求的各种运算,即迈向HBM定制化。
所谓定制HBM,即是在性能、功率、面积(PAA)方面提供多种选项,与现有产品相比将提供更大的价值。例如,通过将HBM DRAM(核心芯片)和客户定制型逻辑芯片进行3D堆叠,可以大幅减少半导体的功率和面积。
今年7月,三星就在其晶圆代工论坛上表示,定制HBM 预计在HBM4世代成为现实。彼时三星电子存储器部门主管崔璋石(Choi Jang-seok)解释道:“我们看到HBM架构正在发生巨大变化。我们的许多客户正在从传统的通用HBM转向定制产品。”
除了三星以外,SK海力士也积极应对HBM的定制化趋势。据称,其已获得美股科技七巨头提出的定制HBM的要求,并与台积电合作以增强HBM4的生产和先进封装技术能力。除此之外,公司还宣布自 HBM4世代起将采用逻辑半导体工艺的HBM内存基础裸片,以支持定制化。
在SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)看来,从HBM4起定制化需求会逐渐增加,并成为全球趋势。而转向订单驱动型的供应模式可以降低供应过剩的风险。“因此我们计划开发符合客户需求的技术。”郭鲁正表示。
TrendForce集邦咨询指出,未来HBM产业将转向定制化的角度发展,在定价及设计上,更加摆脱一般型DRAM的框架,呈现特定化的生产。随着速率、容量、功耗、成本等方面进一步实现突破,HBM在人工智能领域的应用前景广阔。
中国银河证券10月28日研报指出,面向AI存储器的需求有望延续,HBM热度不减。AI终端应用落地带来的需求快速提升、产能扩充速度不及需求提升速度导致的DRAM供需格局紧张是行业持续成长的核心驱动力。