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15:16:02【消息称三星下代400+层V-NAND2026年推出】
《科创板日报》29日讯,三星电子将于2026年推出的下代V-NAND 堆叠层数超过400,预计于2027年推出的0a nm DRAM则将采用VCT结构。报道表示三星第10代(即下代) V-NAND将被命名为BV(Bonding Vertical) NAND,这是因为这代产品将调整NAND结构,从目前的CoP外围上单元改为分别制造存储单元和外围电路后垂直键合。 (韩国经济日报)
半导体芯片
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2024-10-29 15:16:02 2961744 阅读
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