①英伟达将取代英特尔,宣伟公司将取代陶氏化学纳入道琼斯工业平均指数,于11月8日开盘前生效。 ②本次调整旨在确保半导体行业和材料行业具有更高代表性,英伟达加入反映了人工智能的蓬勃发展和半导体行业的重大转变。
《科创板日报》3月4日讯(编辑 宋子乔) 据Digitimes最新报道,随着生成式AI带动高带宽存储器(HBM)及DDR5需求暴增,存储器原厂集体减产动作将进入尾声。供应链指出,由于新制程升级带来产出单位面积减损及HBM需求上修,原厂产能利用率重回九成。
与此同时,存储器价格涨势有望持续,农历春节假期导致市场观望气氛浓厚,DRAM及NAND Wafer现货市场价格涨势较为趋缓,涨幅呈现收敛。存储器业界认为,3月市场价格仍将延续上涨行情,DDR4/LPDDR4价格可望逐月调涨。
AI成了存储市场的最大增量。开源证券表示,搭载容量方面,随着AI在各类领域的应用延伸,手机、服务器、PC中DRAM和NAND单机平均搭载容量均有增长,其中,服务器领域增长幅度最高,ServerDRAM和Enterprise SSD单机平均容量预估分别年增17.3%/13.2%。
供给方面,随着需求的增长,三星、SK海力士及美光全面调升上半年稼动率。集微网报道,原厂的稼动率及资本支出的上修,主要是反映去库存完成,而自2023年第四季起,手机及PC需求转佳,加上AI崛起带动搭载AI的终端产品陆续上市,下游需求逐步上升。预计三大供应商减产将持续至2024年中,且资本支出和产出将聚焦于利润较佳的高端产品如高频宽存储(HBM)和DDR5。
回顾主流存储产品的价格趋势,DRAM/NAND价格分别从2021Q4/2022Q3开始下跌,连跌数季,分别于2023Q4和2023Q3起回涨,目前正处于新一轮上行周期当中。
展望2024全年,集邦咨询认为DRAM和NAND价格有望连续四季看涨,预测2024Q1-Q4DRAM季涨幅中值分别为15.5%/5.5%/10.5%/10.5%、NAND季涨幅中值分别为20.5%/5.5%/10.5%/2.5%。
▌接下来存储市场会一帆风顺吗?
尽管在Digitimes的报道中,业界给出了乐观的大势预判,但细分来看,存储行业各产品线区别较大,且均存在终端需求修复不及预期的担忧。
据德邦证券最新的价格跟踪报告,上周(2月26日-3月3日),DRAM颗粒价格短期调整,供应商卖压加剧;而NAND价格上涨,部分产品(高容量eMMC及特定SSD)仍有固定需求支撑。
该机构表示,虽然DRAM原厂控货与上调官价,但仍因终端需求未能好转而停滞,模组表现亦是相同。现货市场整体呈现观望氛围,仍需关注后续终端需求变化情况。
对于目前市况更好的NAND产品,德邦证券表示,适逢月底月初交际,需求动能虽有陆续恢复,但因市场报价仍是相对偏高,整体终端需求修复或不如预期。
另一个问题在于,与服务器市场一样,存储市场存在“两级市况”,与AI有关的存储产品成为公司主要业绩驱动力,原厂聚焦HBM及DDR5需求方面,其他存储产品依旧缺乏增长动能。