《科创板日报》2月20日讯 DRAM价格已连续第三个月上涨。

据日本经济新闻近日报道，因中国客户接受存储芯片厂商的涨价要求，2024年1月指标性产品DDR4 8Gb批发价为每个1.85美元左右，环比上涨9%，4Gb产品价格为每个1.40美元左右，环比上涨8%，价格皆为连续第三个月扬升。据悉，上述价格谈判时间为春节之前，系中国客户在休假之前增加采购量。

节后，存储渠道行情整体向上。据CFM闪存市场消息，近期渠道部分品牌小幅上调SSD和内存价格，存储现货行情整体保持向上趋势，具体价格持平至小幅上涨。DRAMexchange数据显示，2月5日至2月19日，DRAM15个料号呈上涨趋势；NAND21个型号价格持平，7个型号价格上涨。

台湾工商时报今日报道亦指出，存储芯片三大原厂三星电子、SK海力士、美光科技均控制供给，涨价态度坚定。预计在供给控制持续以及需求缓步复苏下，2024年第一季DRAM环比涨幅13%-18％，NAND环比涨幅18%-23％。

展望第二季度，业内人士预估环比涨幅较第一季度缩小。但第三季度为存储芯片产业传统需求旺季，季度涨幅可望扩大，存储芯片季度报价有机会连续四季上涨。

对于2024年整体存储市场，三大原厂在财报中不约而同地表达了乐观的态度。

三星电子表示，随着消费电子设备单机存储容量增加、AI投资扩大、服务器需求逐渐复苏等因素，2024全年存储业务将会继续复苏。

SK海力士则看好高性能DRAM的需求增长。公司表示，2024年将专注于AI用存储器HBM3E的量产和HBM4的研发，顺应高性能DRAM需求的增长趋势，同时将DDR5和LPDDR5等高性能、高容量产品应用到服务器和移动端市场。

美光科技直言，2024年消费电子市场需求将回升，伴随AI PC和HBM等需求的带动，2024年存储器价格将强劲增长。

德邦证券在最新研报中指出，DRAM需求受多因素催化，价格有望持续逐步上涨。NAND客户需求转强而总体供给下降，从而推动价格上涨趋势。模组端，铠侠根据市场灵活调整产能，预计存储产品售价将不断改善。

另一方面，从驱动因素来看，AI需求的带动作用日益明显。SK海力士在财报中指出，随着AI服务器的需求增加，推动2023年公司ASP上升，HBM3的销量较上年同期增长了4倍多。三星电子亦指出，将专注于HBM3、服务器SSD等高附加值产品的开发和销售，从而推动盈利能力改善。

摩根士丹利证券表示，人工智能可望改变PC与智能手机市场，推动存储器需求爆发。人工智能还将助力存储器的潜在市场规模持续扩大，预估AI PC中的DRAM搭载容量将翻倍；下一代智能手机中的DRAM搭载容量将增加50%以上。到2025年，边缘AI装置的DRAM搭载容量将增长6.7%。