《科创板日报》1月9日讯（记者 章银海），随着下游新兴市场需求爆发、性价比优势显现，FD-SOI（即全耗尽型绝缘体上硅技术）工艺技术逐渐受到市场的青睐。

江丰电子、富创精密等公司近日宣布拟认购中科同芯的合伙份额，用于投资基于FD-SOI工艺的国产晶圆制造厂商锐立平芯的股权。中科同芯总规模将达4.5亿元，投资人囊括概伦电子、北方华创、安集科技等8家半导体产业链上市公司。

值得关注的是，锐立平芯发力FD-SOI工艺技术，不仅丰富了国内晶圆制造技术路线和产业生态。，其优秀的射频性能、低功耗和高可靠性等特点，特别适合移动通信、物联网和汽车电子等新兴应用的需求，而且满足了国内广大设计公司对先进工艺制程的需求，帮助本土半导体开辟新赛道。

丰富国内晶圆制造技术路线

近日，江丰电子和富创精密先后发布了对外投资公告，拟分别出资3000万元、8000万元认购广州中科同芯半导体技术合伙企业（以下称“中科同芯”）的合伙份额。同时参与此次认购的，还有北方华创、江丰同创半导体产业基金。

此外，上述4家投资者增资入股之前，已有中科齐芯、安集科技、北京君正、南大光电、芯源微、概伦电子等7家投资机构。本次交易完成后，中科同芯总规模将达4.5亿元，投资人囊括8家半导体产业链上市公司。

据了解，中科同芯系投资平台，仅投资于锐立平芯微电子（广州）有限责任公司（以下称“锐立平芯”）的股权。锐立平芯是采用FD-SOI平面工艺的先进制程晶圆代工厂，本轮融资主要用于产能建设及工艺研发。

“本次投资中科同芯，主要是希望进一步完善产业布局。公司未来会根据它的需求做相应的研发，提供靶材和零部件等材料。”江丰电子相关负责人向《科创板日报》记者表示，大家比较认可这个项目，本次参与认购的投资机构属于第二批。

资料显示，锐立平芯成立于2022年3月17日，聚焦打造FD-SOI工艺平台。截至发稿日，广州湾区半导体产业集团、澳芯集成分别持股55.56%、44.44%，由国家科技重大专项02专项技术总师、中国半导体协会集成电路分会理事长、原中国科学院微电子研究所所长叶甜春担任公司董事长兼总经理。

“从技术性能本身来讲，FD-SOI技术系统非常适合现在，尤其适用于移动通信、IOT、汽车电子等市场领域。国内厂商此时发力FD-SOI技术，不仅能够满足下游市场需求，而且进一步丰富国内技术路线。”华芯金通投资基金创始合伙人吴全告诉《科创板日报》记者，半导体产业链公司入股、相互协同，有利于助推国内FD-SOI生态体系建设。

据悉，28 纳米节点以下集成电路先进工艺领域，传统的单栅平面 MOSFET 结构已不再适用，必须引入新的结构增强静电控制，来改善短沟道效应。在2000年前后，伯克利大学胡正明教授提出FD-SOI和FinFET（即鳍式场效应晶体管），作为 28 纳米以下节点器件结构的两大解决方案，这两个方案目前均已在产业界被证明行之有效，已应用于量产。但由于多种原因，FinFET占据目前市场主流位置。国际上仅格芯、三星、意法半导体等龙头厂商采用双技术路线方案，国内几乎无一家晶圆厂去发展FD-SOI工艺。

中芯国际相关人士向《科创板日报》记者坦言，目前公司没有FD-SOI技术。“晶圆制造技术架构体系有着较高的技术壁垒，厂商面临着复杂程度、高研发投入及未来走向等多重因素考验，多数厂商扎根一个架构体系。”

构建FD-SOI产业生态

上述知情人士告诉《科创板日报》记者，广州市政府对FD-SOI技术寄予厚望，期望将锐立平芯打造成世界级FD-SOI集成电路制造基地，助力粤港澳大湾区建设“国家集成电路第三极”。

据悉，叶甜春目前同时兼任广东省大湾区集成电路与系统应用研究院院长（以下称“研究院”），该研究院由中国科学院集成电路创新研究院与广州高新技术产业开发区管理委员会共同发起成立，属于省级事业单位。

研究院聚焦FD-SOI核心关键技术，构建以FD-SOI工艺研发、器件、材料、EDA技术为核心的FD-SOI创新生态体系。研发方向上则覆盖2X纳米FD-SOI产业技术、FDS-OI先导工艺、基于FD-SOI工艺的量子计算等领域的研究。

值得关注的是，随着后28nm时代的来临，以及下游终端应用朝着：少量、多品种及快速迭代的市场发展趋势，格芯、意法半导体等厂商正加大FD-SOI技术领域的投入力度，再度与FinFET相竞争。

2022年4月，CEA（即法国原子能和替代能源委员会）、Soitec、格芯及意法半导体计划联合制定行业的下一代FD-SOI技术发展规划，促进FD-SOI在汽车、物联网和移动通信中的应用。意法半导体甚至重启了向1X纳米工艺节点的进军，在先进制程方面明确选择了FD-SOI技术路线为突破重点。

**对国内而言，叶甜春曾对外直言，FD-SOI工艺可帮助本土半导体开辟新赛道，未来5-10年FD-SOI技术发展将极大丰富国内半导体产业生态。针对移动通信、物联网和汽车电子等新兴应用，FD-SOI相比FinFET具有更好的性价比，帮助国内厂商在这些新兴赛道，发布具有国际竞争力的产品。

相比FinFET 技术FD-SOI在设计和制造成本上具有优势，开发周期更短。”韦豪创芯高级投资经理方亮向《科创板日报》记者解释称，FD-SOI为平面工艺比三维结构的FinFET制程简单，光罩数减少30%左右，光罩成本减少35%，可以抵消SOI晶圆带来的成本增加。

此外，叶甜春曾提到，“如果只建工厂，FD-SOI做不起来。需要既把工厂建起来，同时建立起相应的集成电路设计环境、引导新一批设计公司，引导国内的装备企业、材料企业和零部件企业集聚，打造基于FD-SOI的全生态上下游，努力在集成电路领域实现科技自立自强。如果以产品发布为标志，在大家的共同努力下，预计4年形成基本的产业规模。”