《科创板日报》27日讯，韩美半导体宣布，已推出全球首台“BOC+COB键合机”，并将向某国际存储制造商客户位于印度古吉拉特邦的工厂供货。据悉，“BOC+COB键合机”能够在单个设备中生产BOC（芯片上基板）和COB（板上芯片直装）工艺。

《科创板日报》26日讯，NAND价格高涨，市场供货持续紧缺，NAND闪存芯片控制大厂群联日前发函通知客户将更新付款条件。该公司表示，NAND近来价格持续增长，对资金需求影响也明显提高，为能取得更多稳定的货源，近期将依照个别客户不同，与客户讨论预付款的条件。

《科创板日报》26日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，由于AI应用由LLM模型训练延伸至推理，推动CSPs业者的数据中心建置重心由AI Server延伸至General Server，进一步推动存储器采购重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各类容量的RDIMM，积极释出追加订单，带动Conventional DRAM的合约价大幅上涨，2025年第四季DRAM产业营收为535.8亿美元，较上季度增加29.4%。

财联社2月26日电，SK海力士2月26日宣布，于当地时间25日在美国加利福尼亚州米尔皮塔斯的闪迪公司(SanDisk)总部，与闪迪公司联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球标准化战略。

财联社2月24日电，美股芯片存储板块盘前普涨。闪迪涨2.6%，西部数据、希捷科技涨超1%，美光科技涨近1%。

财联社2月18日电，硬盘制造商西部数据周三宣布，计划通过二次配售出售旗下原子公司闪迪的部分股权，筹资31.7亿美元，发行价较上一交易日收盘价折价7.7%。西部数据拟将此次出售的580万股股份，置换给摩根大通、美银证券旗下关联机构所持有的公司债务。这两家银行同时担任此次发行的主承销商，将代其关联机构出售这批股份。

财联社2月13日电，根据TrendForce集邦咨询最新HBM产业研究，随着AI基础建设扩张，对应的GPU需求也不断成长，预期英伟达Rubin平台量产后，将带动HBM4需求。目前三大存储器原厂的HBM4验证程序已进展至尾声，预计将在2026年第二季陆续完成。其中，三星凭借最佳的产品稳定性，预期将率先通过验证，SK海力士、美光随后跟上，可望形成三大厂供应英伟达HBM4的格局。

《科创板日报》12日讯，此前有传言称美光可能被排除在英伟达的HBM4供应商名单之外，美光首席财务官马克·墨菲(Mark Murphy)回应称：“关于第六代高带宽内存(HBM4)有一些不准确的报道，但美光已经开始量产HBM4。”他强调，美光已经开始向客户交付HBM4，预计第一季度出货量将大幅提升。

财联社2月11日电，美股存储板块盘前反弹。美光科技涨2.9%，闪迪涨3.2%，西部数据涨1.9%，希捷科技涨2.2%。

财联社2月11日电，中芯国际联合首席执行官赵海军在业绩交流会上表示，AI需求在一定时间内“永远无法满足”。“现在大家算力都不够，因为对AI有宏大设想，巴不得在一两年内建成未来十年需要的数据中心，至于建起来之后要干嘛还没完全想清楚。”赵海军判断，在这种情况下，业界还在重投资存储技术，HBM缺货在几年内应该会持续。不过，未来制约HBM产能的将不是前端的晶圆生产环节，而是后端的测试等环节。赵海军预测，接下来存储器产能会增加，厂商买设备快的能4个月拿到，慢的9个月也能拿到，9个月后就能看到晶圆前端生产产能增加。这些产能不能直接用来做AI数据中心所需的HBM，而是会马上投放到消费类产品上。这时中间通道商手里的囤货会释放出来，给到手机、电脑产品，或将在今年第三季度带来消费类产品包括中低端手机市场的反转。

《科创板日报》11日讯，德国默克公司计划在韩国建立一条用于大规模生产半导体材料的生产线。其目标是今年开始供应尖端的NAND闪存材料，并有望加强与三星电子、SK海力士等韩国主要存储器公司的合作。

财联社2月10日电，根据印度半导体代表团的最新消息，预计今年内有四座半导体工厂将启动商业运营，此前2025年连续开始试生产。该国计划到2029年，通过本土设计和制造满足国内70%至75%的芯片需求。为实现这一目标，印度将重点强化计算系统、射频（RF）、网络安全、电源管理、传感器和存储器这六大核心领域的芯片设计能力。

《科创板日报》9日讯，韩国设备厂商韩美半导体宣布，继去年推出用于生产第六代高带宽存储器（HBM4）的TC键合机之后，计划于今年下半年推出用于生产HBM5和HBM6的“宽型TC键合机”。