财联社8月11日电，据报道，SK海力士重启了中国大连NAND闪存生产基地2号工厂的建设，将产能扩大约50%。大连2号工厂于4年前动工，但受存储器行业低迷影响，工程长期处于停滞状态。SK海力士计划在今年年底前引入半导体生产设备，并于明年上半年正式投产。据悉，新生产线的晶圆投片量约为每月5万片。如果加上大连1号工厂现有的每月10万片产能，大连当地总产能将增加约50%。

财联社8月11日电，根据Omdia最新报告，随着智能手机厂商需求放缓，随着存储器价格上涨，智能手机制造商大幅下调了生产计划，同时，显示面板制造商正将过剩产能转向维修和翻新机市场，推动该市场显示面板出货量快速增长。据统计，2026年第一季度，维修和翻新智能手机市场的显示面板出货量同比增长20%，达到2.98亿片，首次超过同期面向智能手机制造商的显示面板出货量（2.89亿片）。

财联社8月7日电，SK海力士表示，将同时扩大DRAM和NAND的生产规模，并依据客户需求相应提升产能。

财联社8月5日电，据媒体报道，苹果公司曾试图与长鑫存储（CXMT）商谈更低的DRAM（动态随机存取存储器）采购价格，但遭到拒绝。长鑫存储坚持要求报价不低于三星电子和SK海力士，甚至更高。原因很简单，华为和小米等中国本土企业已通过长期合同锁定了长鑫存储的产能，因此长鑫存储无需迁就苹果公司苛刻的条件。报道指出，大型科技公司此前常利用“若诉求未获满足便转而采购中国制造产品”作为谈判筹码，而这一途径如今实际上已被切断。

财联社8月5日电，据TrendForce集邦咨询最新发布的存储现货价格趋势报告，DRAM现货价格上涨势头自7月下旬以来有所减弱，4Gb DDR4和2Gb DDR3价格在交易量有限的情况下小幅上涨。NAND闪存方面，尽管本周512GbTLC Wafer的现货价格上涨了4.55%，但由于缺乏强劲的购买需求，价格反弹势头依然疲软。

《科创板日报》4日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，英伟达对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计，目前尚未定案。除了英伟达外，部分云端服务供应商（CSP）也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

《科创板日报》4日讯，业界人士指出，近期原厂已完成2027全年产能分配谈判，三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。 NAND Flash虽然没有像DRAM一样供应吃紧，但预计2026年8月底前的产能也将被预订完毕。无论是否签订LTA长期合约，买家均配合原厂的提前预付订金模式，这将应验2027年是“存储最短缺一年”的看法，但后续价格涨幅有望趋缓。

财联社8月3日电，在ViaSat提起的诉讼中，铠侠硬盘业务部门被法院判令支付2.29亿美元赔偿金。铠侠表示，已在2026年第一季度就相关诉讼计提了损失准备金。

财联社7月31日电，根据Omdia最新发布的数据，2026年第二季度全球智能手机出货量同比下降6%，降至2.72亿部。此前，2026年第一季度受提前备货需求带动，市场表现较强，而第二季度则进入存储器成本周期的调整阶段。持续高企的存储价格扰乱了供应，推高了元器件成本，迫使厂商重新思考定价策略、产品组合和渠道战略。

财联社7月30日电，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。

财联社7月29日电，SK海力士表示，主要客户持续提出增加存储器供货需求，存储器供应紧张态势将持续较长一段时间。