财联社8月14日电，据中国贸易救济信息网消息，2026年8月11日，美国Netlist, Inc根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国国际贸易委员会提出申请，主张对美出口、在美进口及销售的特定动态随机存取存储器（DRAM）设备及其下游产品和组件（III）（Certain Dynamic Random Access Memory (DRAM) Devices, Products Containing the Same, and Components Thereof (III)）违反了美国337条款。美国Micron Technology, Inc. of Boise, ID、美国Micron Semiconductor Products, Inc. of Allen, TX、美国Hewlett Packard Enterprise Co. of Spring, TX、中国北京Lenovo Group Ltd.of China、美国Lenovo (United States) Inc. of Morrisville, NC、美国Super Micro Computer, Inc. of San Jose, CA为列名被告。

财联社8月14日电，从中国科学技术大学获悉，该校潘建伟、包小辉、张强等与济南量子技术研究院等单位合作，成功实现两个冷原子量子存储器间跨越420公里光纤的量子纠缠，并在230公里以上距离突破无中继量子纠缠分发的理论极限。这一成果大幅提升了物质量子比特间的纠缠距离，为城际尺度量子网络构建奠定了基础。日前相关研究以编辑推荐的形式发表在《物理评论快报》上。

财联社8月12日电，Omdia发文称，由于AI需求持续超过全球供应能力，推动DRAM和NAND市场实现强劲增长，Omdia将2026年全球半导体市场营收增长预测上调至同比增长94.1%。预计2026年存储器芯片（MemoryIC）收入将占全球半导体总营收的50%以上。与此同时，AI需求已超出当前半导体产业的芯片制造和封装能力，高带宽内存（HBM）、先进封装以及先进制程产能等关键环节的瓶颈预计至少将持续至2027年。

财联社8月11日电，据报道，SK海力士重启了中国大连NAND闪存生产基地2号工厂的建设，将产能扩大约50%。大连2号工厂于4年前动工，但受存储器行业低迷影响，工程长期处于停滞状态。SK海力士计划在今年年底前引入半导体生产设备，并于明年上半年正式投产。据悉，新生产线的晶圆投片量约为每月5万片。如果加上大连1号工厂现有的每月10万片产能，大连当地总产能将增加约50%。

财联社8月11日电，根据Omdia最新报告，随着智能手机厂商需求放缓，随着存储器价格上涨，智能手机制造商大幅下调了生产计划，同时，显示面板制造商正将过剩产能转向维修和翻新机市场，推动该市场显示面板出货量快速增长。据统计，2026年第一季度，维修和翻新智能手机市场的显示面板出货量同比增长20%，达到2.98亿片，首次超过同期面向智能手机制造商的显示面板出货量（2.89亿片）。

财联社8月7日电，SK海力士表示，将同时扩大DRAM和NAND的生产规模，并依据客户需求相应提升产能。

财联社8月5日电，据媒体报道，苹果公司曾试图与长鑫存储（CXMT）商谈更低的DRAM（动态随机存取存储器）采购价格，但遭到拒绝。长鑫存储坚持要求报价不低于三星电子和SK海力士，甚至更高。原因很简单，华为和小米等中国本土企业已通过长期合同锁定了长鑫存储的产能，因此长鑫存储无需迁就苹果公司苛刻的条件。报道指出，大型科技公司此前常利用“若诉求未获满足便转而采购中国制造产品”作为谈判筹码，而这一途径如今实际上已被切断。

财联社8月5日电，据TrendForce集邦咨询最新发布的存储现货价格趋势报告，DRAM现货价格上涨势头自7月下旬以来有所减弱，4Gb DDR4和2Gb DDR3价格在交易量有限的情况下小幅上涨。NAND闪存方面，尽管本周512GbTLC Wafer的现货价格上涨了4.55%，但由于缺乏强劲的购买需求，价格反弹势头依然疲软。

《科创板日报》4日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，英伟达对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计，目前尚未定案。除了英伟达外，部分云端服务供应商（CSP）也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

《科创板日报》4日讯，业界人士指出，近期原厂已完成2027全年产能分配谈判，三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。 NAND Flash虽然没有像DRAM一样供应吃紧，但预计2026年8月底前的产能也将被预订完毕。无论是否签订LTA长期合约，买家均配合原厂的提前预付订金模式，这将应验2027年是“存储最短缺一年”的看法，但后续价格涨幅有望趋缓。

财联社8月3日电，在ViaSat提起的诉讼中，铠侠硬盘业务部门被法院判令支付2.29亿美元赔偿金。铠侠表示，已在2026年第一季度就相关诉讼计提了损失准备金。

财联社7月31日电，根据Omdia最新发布的数据，2026年第二季度全球智能手机出货量同比下降6%，降至2.72亿部。此前，2026年第一季度受提前备货需求带动，市场表现较强，而第二季度则进入存储器成本周期的调整阶段。持续高企的存储价格扰乱了供应，推高了元器件成本，迫使厂商重新思考定价策略、产品组合和渠道战略。

财联社7月30日电，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。

财联社7月29日电，SK海力士表示，主要客户持续提出增加存储器供货需求，存储器供应紧张态势将持续较长一段时间。