《科创板日报》22日讯，三星电子正在开发的第七代高带宽存储器（HBM4E）的基础芯片已进入后端设计阶段。此外，该公司最近制定了新的HBM路线图，旨在加快实现HBM4、HBM4E、HBM5三代产品量产。

《科创板日报》22日讯，铠侠存储事业部总经理中户俊介日前表示，铠侠2026年的全部产能已经售罄，预计这一趋势至少会持续到2027年。其表示，公司不会优先向出价最高的供应商供货，而是与长期合作伙伴共同制定年度供货计划，并据此进行分配。

《科创板日报》22日讯，瑞银最新发布的全球汽车产业研究报告警告，受AI服务器需求暴增影响，DRAM产能正大幅向高带宽记忆体（HBM）倾斜，导致汽车级存储器面临价格上涨与供应短缺的双重压力，相关冲击预计将自2026年第二季开始逐步浮现。

《科创板日报》21日讯，供应链指出，存储大厂华邦电、南亚科目前对外签订的长期供货合约（LTA），模式多为“锁量不锁价”，时间由一年期拉长至至少两年起，部分大客户甚至谈到接近2030年的长期合作框架。过去存储厂与大客户签订的长单模式多为“锁价又锁量”，目前“锁量、不锁价”的主流模式核心在于确保产能优先顺序与出货稳定性，但价格仍随市场浮动，保留报价弹性空间。产业人士直言，这种模式能替供应商带来最低获利保障与产能利用率稳定度，但在不锁价前提下，毛利率天花板同样被锁死，“不会亏，但也赚不大”。

财联社1月20日电，摩根大通发布了一份关于亚太地区存储行业的深度研究报告，聚焦于高带宽存储器(HBM)市场的发展趋势及其对存储行业的深远影响。报告指出，HBM市场自2023年起已进入第四年的上升周期，并预计这种增长态势将延续至2027年。随着人工智能(AI)和高性能计算(HPC)需求的激增，HBM技术的重要性愈发凸显，其在AI资本支出和收入中的占比持续上升，成为推动存储行业增长的关键力量。

财联社1月15日电，BENCHMARK将闪迪目标价从260美元大幅上调至450美元。

财联社1月15日电，据报道，SK海力士美国公司首席执行官Sungsoo Ryu表示，SK海力士在韩国龙仁新芯片生产基地的首座工厂计划2027年2月投产，比原计划提前三个月。

《科创板日报》15日讯，TrendForce最新发布报告显示，DRAM现货价格持续攀升，由于供应商和贸易商不愿释放库存，交易量依然受限，主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片的平均价格上涨9.64%。NAND闪存方面，现货价格近期持续上涨。然而，由于多种因素的共同作用，交易量依然低迷：现货价格大幅上涨、消费品需求疲软以及农历新年期间工厂即将停工。尽管一些买家采取了观望态度，但对未来价格走势持乐观态度的现货交易商拒绝降价刺激销售。这种僵局导致现货市场持续低迷。本周512Gb TLC晶圆的平均现货价格上涨了9.68%，达到15.052美元。

财联社1月14日电，有传闻爆料称，SK海力士计划停产消费级存储器。对此，SK海力士向界面新闻记者回应称，目前并未有探讨或规划退出消费者用产品事业的计划。

《科创板日报》14日讯，随着人工智能（AI）半导体需求暴增，各大企业正大规模重组业务。继美光之后，亦有消息传出，SK海力士将停止生产消费级DRAM、NAND Flash产品，转将资源集中于B2B与AI服务器市场。

《科创板日报》13日讯，LG电子正在开发用于高带宽存储器（HBM）的混合键合堆叠设备（键合机）早期版本。该项目计划于2029年完成，目标精度设定为200纳米。不过，这一精度规格与Besi公司已实现商业化的100纳米精度存在差距。消息人士指出，基于这样的精度差异，该键合机在三年后推出时，可能在HBM领域竞争力不足。

财联社1月9日电，CINNO Research最新报告指出，进入2026年1月，手机面板市场正式步入传统淡季，叠加上游存储器价格连续数月上涨，终端品牌为缓解成本压力，纷纷主动缩减出货目标以控制经营风险，由此导致手机面板整体需求明显走弱。在终端拉货动能不足的背景下，上游面板厂稼动率普遍承压，价格下行压力进一步加剧。该机构预测，2026年1月和2026年2月，a-Si模组价格与LTPS面板价格或将呈现下降趋势；柔性AMOLED面板价格持续处于下降通道。

《科创板日报》7日讯，产业链调查显示，2026年存储产能空前紧张，大型云服务厂商已经提前启动2027年供货产能的“捆绑式谈判”，将采购量、价格条件与后续年度供货目标一起协商，最快或将于今年一季度敲定2027年供货合同。供应端存储三大原厂短期内难有效扩产。模组厂普遍有颗粒短缺与下游配货压力，业内人士表示大型模组厂实际取得的颗粒，也仅有原先需求的30％～50％；手机与PC等传统应用被排至后段，多数品牌厂今年仅能取得原本50％～70％供应量。