财联社9月15日电，工业和信息化部、国家发展改革委印发《电子信息制造业发展“十五五”规划》。其中提到，加快发展先进存力，推动以存强算、以存代算，提升分布式、超融合等存储系统的技术水平，完善分级分层数据存储架构及存储协议。突破智能分层存储、数据稀疏化优化、键值缓存等技术，研发高带宽闪存、高带宽内存、铁电存储器、阻变存储器、磁电存储器等新型存储产品。

财联社9月15日电，工业和信息化部、国家发展改革委印发《电子信息制造业发展“十五五”规划》，其中提到，推动集成电路全链条攻关。发展高性能处理器、高密度存储器、高可靠性模拟和数模混合芯片等高端芯片产品。提升集成电路制造水平，做精做细成熟制程，提高先进制程能力。推动先进封装测试技术开发和应用。推动宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展。持续提升关键装备、材料和零部件供给能力，加快发展电子设计自动化工具（EDA）和知识产权核（IP核），推进三维集成等技术突破和应用。

财联社9月14日电，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2026年上半年NOR Flash合约价平均累计涨幅达100-120%，预估下半年不同容量产品价格走势将分化。256Mb及以上高容量产品有AI Server、车用等强劲需求，加上供给主力厂商的新增位元有限，预估下半年平均价格仍有90-110%的上涨空间。在128Mb及以下的中低容量市场，随着部分供应商产能逐步释出，消费类产品价格涨势趋缓，后续将进入高位盘整，预估2026年第四季涨幅落在10-20%之间。

财联社9月11日电，据西安电子科技大学消息，该校郝跃院士团队联合香港城市大学、复旦大学相关学者，在铁电材料失效现象研究方面取得新突破，为破解铁电材料耐久性难题提供新路径。11日，相关成果在国际学术期刊《科学》发表。据介绍，这项研究连接了原子尺度的缺陷行为与器件尺度的可靠性表现，为高可靠、高密度纤锌矿铁电存储器的开发提供了新的物理基础，也为铁电材料提供了一条可遵循的调控路径。

财联社9月10日电，湖北省人民政府印发《数字湖北建设“十五五”规划》。规划指出，强化数智领域关键技术攻关。围绕光通信、高端芯片、北斗高精度定位、通导遥一体化、物联网、异构算力调度、多模态人工智能、数据可信流通等开展集中攻关，推进人工智能、具身智能、量子科技、脑机接口、6G等前沿方向原始创新。推进通用大模型迭代优化和轻量化适配，聚焦工业、文旅、水利、应急等领域打造行业模型。提升自主可控安全保障水平。依托东湖科学城、光谷科创大走廊、国家存储器基地，围绕存算一体、算力芯片、操作系统、数据库、中间件等开展自主安全计算关键技术攻关，强化底层技术研发。推进自主安全计算在政务、金融、能源、重点产业试点应用。构建产学研用深度融合创新生态。围绕光电子信息、智能网联汽车、6G、量子科技等方向建设高水平科研平台和人才基地。布局数智领域概念验证中心，争创国家人工智能应用中试基地。支持建设产教融合平台，加快布局具身智能、数据科学与工程等学科专业，支持职业院校加强培养数字技能人才。创新科技金融模式和产品，引导社会资本投向早期数智科技项目。

财联社9月10日电，映翰通在9月10日召开的2026年半年度网上业绩说明会上表示，公司目前已布局边缘计算网关、EC系列AI边缘计算机及相关AI解决方案。在存储方面，公司边缘计算机等产品配置本地存储资源，主要用于现场数据缓存、日志留存及边缘数据处理，属于边缘计算设备的配套能力。目前，公司并未直接开展存储器件或存储基础设施相关业务，公司边缘AI相关业务仍处于持续推广和市场拓展阶段，部分产品已实现小批量应用，整体收入规模占公司营业收入比例较小，暂未对公司整体经营业绩形成重大影响。

财联社9月10日电，Omdia最新研究显示，2026年第二季度，美国PC出货量（不含平板电脑）同比增长1.0%，达到1880万台，此前2026年第一季度同比下降7.0%。本季度市场恢复增长，主要得益于零售商和渠道合作伙伴在存储器和存储产品供应受限导致价格上涨之前提前备货，从而带动部分需求提前释放。美国PC平均渠道出货价格首次突破1000美元，同比增长12.0%。不过，这一增长预计难以持续，Omdia预测美国PC市场全年出货量将下降10.7%，2026年下半年则将下降18.4%。

《科创板日报》8日讯，苹果公司与日本铠侠（Kioxia）签署了一项NAND闪存的长期供应协议（LTA），报告对内存市场的推测表明，这份合同的期限为三到五年，并且可能没有价格上限。这意味着，在内存价格谈判中拥有巨大议价能力的苹果公司，正将确保NAND闪存的稳定供应量置于压缩成本之上。

财联社9月7日电，长鑫科技高管在2026年半年度业绩说明会上就与苹果公司合作、LPDDR6产品盈利情况等回应，公司产品在性能、质量和供应稳定性方面已具备与国际主流厂商竞争的能力。具体客户及商业合作细节等信息以公司公开披露的信息为准。另外，LPDDR系列产品是公司重要的产品线之一，公司在该领域持续投入研发，产品性能与可靠性不断提升。此次LPDDR6首发，是公司与中国科技产业链伙伴协同创新的代表性成果。关于量产安排及盈利贡献等信息，以公司公开披露的信息为准。

财联社9月6日电，研究机构Counterpoint Research发布的全球DRAM市场分析报告显示，2026年二季度全球DRAM市场总营收同比上升385%，环比增长57%。从具体厂商表现来看，三星电子（38%）、SK海力士（25%）、美光（24%）份额仍占据着全球DRAM市场前三。

《科创板日报》1日讯，AI建设热潮引爆HBM需求，并排挤传统DRAM供给、加剧内存缺货。韩媒报道，三星的存储器业务部门已将2031年前约70%的产能分配给长约订单（long-term agreements，简称LTAs），主要签约客户包括英伟达，微软及谷歌等大型科技公司。然而，HBM抢货情况相当激烈，就连这些大型科技公司都无法取得合约约定的全部供货量，使现货价格进一步飙升。

《科创板日报》31日讯，据报道，三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据悉将用于NVHBM。

财联社8月25日电，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，全球主要云端服务供应商（CSP）为加速建设AI基础设施，资本支出预估于2026年将年增98%，2027年再成长50%，大幅成长的原因，部分可归因于存储器合约价剧增、采购需求的强劲成长。TrendForce集邦咨询预估，DRAM、NAND Flash合计在CSP资本支出的占比，将从2026年的47%，进一步扩张至2027年的68%。