《科创板日报》13日讯，据报道，标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际，DDR3产能不足状况更显严重，由于三星等大厂退出DDR3制造，但AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加，单一设备搭载容量直线上升，将引爆DDR3报价补涨行情。业界分析，随着主要DRAM厂减产效应持续发酵，带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在，且后面涨势依然可期，DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季，对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等厂商而言，DDR3的涨价效益将在本季和下季逐渐显现。

《科创板日报》12日讯，记忆体价格经历半年大幅上涨，且通端客户库存逐步回补完成，加上终端需求复苏较预期缓慢，市场法人预期，2024年下半年存储器报价涨势将转为缓和。就DRAM而言，中长线供需仍乐观，主要是在AI发展趋势下，将大量消耗高带宽记忆体（ HBM）产能。

《科创板日报》6日讯，消息称，消费性市场需求第二季表现平淡，但存储器模块厂5月营收维持强劲的年增率表现，看好AI带动终端应用换机潮，而存储器价格可望持续走扬，DRAM现货价将从8月后与合约价回归齐涨模式，下半年营运乐观成长。

《科创板日报》3日讯，受到终端消费需求疲弱，存储器现货市场5月价格显露疲态，DDR产品、Flash wafer及SSD应用等均呈现下滑，尤其是主流DDR4受到库存调整压力，单月跌价较大，而高端DDR5模块跌幅则相对缓和。

《科创板日报》31日讯，存储器模块厂威刚董事长陈立白表示，DRAM合约市场价格稳定上涨，现货市场虽然短期出现调整现象，但对下半年DRAM价格无须担心，预料将逐季往上拉。

财联社5月20日电，据集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继存储器合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中，HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%，且晶圆面积相较DRAM产品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看，至年底HBM将占先进制程比重35%，其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。

《科创板日报》20日讯，尽管消费性电子产品需求疲弱，但AI及云端服务器等高端应用供不应求，持续拉动合约市场价格上扬，上游存储器原场看好涨势将有望延续至2025年。 存储器模块厂积极备货，截至2024年第一季的存货金额攀升高点，各家存货周转天数约接近6~8个月。

《科创板日报》17日讯，全球第二大储存型快闪存储器厂日商铠侠看旺市况，强调本季PC、手机等NAND关键终端应用全面复苏，加上AI驱动新一波笔电与手机换机潮可期，上季NAND芯片涨价两成之后，本季报价有望续涨，产业后市相当乐观。

《科创板日报》17日讯，利基型存储器价格2024年仅微幅上涨，但随着产业供需调整，业界预期，2025年下半年将有望回到疫情前的价格水准，这也意味着随着大厂停产，市场价格将逐渐水涨船高。

《科创板日报》7日讯，三星电子与超微（AMD）近期因AI半导体市场发展，在高带宽存储器（HBM）等领域合作日渐紧密。 不过近期有传闻指出，三星将于2026年推出搭载自主研发GPU的高端Exynos芯片组，终止与超微的手机用GPU研发合作。

财联社5月6日电，美国宾夕法尼亚大学科学家研制出一款可在600℃高温下持续工作60小时的存储器。这一耐受温度是目前商用存储设备的两倍多，表明该存储器具有极强的可靠性和稳定性，有望在可导致电子或存储设备故障的极端环境下大显身手，也为在恶劣条件下进行密集计算的人工智能系统奠定了基础。相关论文发表于新一期《自然·电子学》杂志。

财联社5月2日电，在媒体招待会上，韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍，由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求，公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前，公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测，未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增，目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。