《科创板日报》26日讯，半导体存储器DRAM的大宗交易价格上涨。截至5月，指标产品环比上涨了8%。随着用于生成式AI的新一代产品需求出现激增，存储器企业对普通产品也进行了强势提价。一家日本电子产品贸易商指出：“HBM供应跟不上需求，供应量出现短缺”。大型存储器企业表示，“我们强势要求客户在采购HBM之际高价购买普通DRAM，最终买方接受”。

《科创板日报》25日讯，为应对AI热潮带动的存储器需求，三星电子决定重启新平泽工厂（P5）基础建设，预计最快将于2024第三季重启建设，完工时间推估为2027年4月，不过实际投产时间可能更早。

《科创板日报》21日讯，存储器产业需求复苏，消息称，存储厂商华邦电第二季利基型存储器价格调升约两成，高雄厂及台中厂的产能利用率均已回归，带动第二季获利显着改善，并弥补首季亏损。 预计下半年传统旺季推升营运增温，相较上半年呈双位数增长。

《科创板日报》17日讯，据三星内部和业内消息人士称，三星电子将在年内推出高带宽存储器（HBM）的三维（3D）封装服务，预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。

《科创板日报》13日讯，据报道，标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际，DDR3产能不足状况更显严重，由于三星等大厂退出DDR3制造，但AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加，单一设备搭载容量直线上升，将引爆DDR3报价补涨行情。业界分析，随着主要DRAM厂减产效应持续发酵，带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在，且后面涨势依然可期，DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季，对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等厂商而言，DDR3的涨价效益将在本季和下季逐渐显现。

《科创板日报》12日讯，记忆体价格经历半年大幅上涨，且通端客户库存逐步回补完成，加上终端需求复苏较预期缓慢，市场法人预期，2024年下半年存储器报价涨势将转为缓和。就DRAM而言，中长线供需仍乐观，主要是在AI发展趋势下，将大量消耗高带宽记忆体（ HBM）产能。

《科创板日报》6日讯，消息称，消费性市场需求第二季表现平淡，但存储器模块厂5月营收维持强劲的年增率表现，看好AI带动终端应用换机潮，而存储器价格可望持续走扬，DRAM现货价将从8月后与合约价回归齐涨模式，下半年营运乐观成长。

《科创板日报》3日讯，受到终端消费需求疲弱，存储器现货市场5月价格显露疲态，DDR产品、Flash wafer及SSD应用等均呈现下滑，尤其是主流DDR4受到库存调整压力，单月跌价较大，而高端DDR5模块跌幅则相对缓和。

《科创板日报》31日讯，存储器模块厂威刚董事长陈立白表示，DRAM合约市场价格稳定上涨，现货市场虽然短期出现调整现象，但对下半年DRAM价格无须担心，预料将逐季往上拉。

财联社5月20日电，据集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继存储器合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中，HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%，且晶圆面积相较DRAM产品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看，至年底HBM将占先进制程比重35%，其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。

《科创板日报》20日讯，尽管消费性电子产品需求疲弱，但AI及云端服务器等高端应用供不应求，持续拉动合约市场价格上扬，上游存储器原场看好涨势将有望延续至2025年。 存储器模块厂积极备货，截至2024年第一季的存货金额攀升高点，各家存货周转天数约接近6~8个月。

《科创板日报》17日讯，全球第二大储存型快闪存储器厂日商铠侠看旺市况，强调本季PC、手机等NAND关键终端应用全面复苏，加上AI驱动新一波笔电与手机换机潮可期，上季NAND芯片涨价两成之后，本季报价有望续涨，产业后市相当乐观。

《科创板日报》17日讯，利基型存储器价格2024年仅微幅上涨，但随着产业供需调整，业界预期，2025年下半年将有望回到疫情前的价格水准，这也意味着随着大厂停产，市场价格将逐渐水涨船高。

《科创板日报》7日讯，三星电子与超微（AMD）近期因AI半导体市场发展，在高带宽存储器（HBM）等领域合作日渐紧密。 不过近期有传闻指出，三星将于2026年推出搭载自主研发GPU的高端Exynos芯片组，终止与超微的手机用GPU研发合作。