《科创板日报》19日讯，德国亥姆霍兹-德累斯顿-罗森多夫中心、开姆尼茨工业大学、德累斯顿工业大学和于利希工业中心联合团队合作开发出一种超材料，材料中的圆柱域不仅可存储单个比特，还可存储整个比特序列。发表在最新《先进电子材料》的这一成果，为研发新型数据存储器和传感器、神经网络的磁性变体铺平道路。

财联社7月17日电，从安徽大学获悉，该校杜海峰教授带领新型拓扑磁性材料与存储器件团队，运用聚焦离子束微纳器件制备技术，制备出了世界上最小尺寸的斯格明子赛道器件单元。该单元赛道宽度为100纳米，实现了纳秒电脉冲驱动下，100纳米宽度赛道中80纳米磁斯格明子一维、稳定、高效的运动，为构筑高密度、高速度、可靠的新型拓扑磁电子学器件提供了重要支撑。相关研究成果日前发表在《自然·通讯》上。

财联社7月12日电，在三星工会本周号召举行大罢工之后，数百名员工于7月11日和12日在三星位于首尔南部平泽的高带宽存储器工厂前参加罢工活动，这与周一在华城工厂外举行的数千人公开集会相去甚远。三星电子工会副主席李贤国表示，瞄准高端芯片生产线是针对管理层的“最有效”措施。

《科创板日报》9日讯，第二季消费性电子需求疲弱，终端市场持续处于库存去化阶段，存储器模块厂普遍感受到买气冷清，包括威刚、广颖、宇瞻等6月合并营收均呈现下滑，十铨的B2B专案则逆势拉升营收创下新高纪录。上游原厂和代理端均预期，DRAM现货止跌迹象显现，第三季合约价格将延续调涨。

财联社7月4日电，据三星内部公告，三星电子将在2024年上半年向其半导体部门员工支付最高相当于基本工资75%的奖金。三星半导体业务的设备解决方案（DS）部门已公布的奖金额度为基本月薪的37.5-75%，其中存储器部门75%，晶圆代工部门37.5%，系统LSI部门37.5%，半导体研究中心75%。

财联社7月4日电，美国国际贸易委员会（ITC）7月3日投票决定对特定存储设备及其下游电子设备（Certain Memory Devices and Electronic Devices Containing the Same）启动337调查（调查编码：337-TA-1406）。美国Micron Technology Inc.、美国Hewlett Packard Enterprise Co.、美国HP, Inc.、美国Kingston Technology Company, Inc.、中国香港Lenovo Group Limited、美国Lenovo (United States) Inc.、美国Tesla Inc.为列名被告。美国国际贸易委员会将于立案后45天内确定调查结束期。除美国贸易代表基于政策原因否决的情况外，美国国际贸易委员会在337案件中发布的救济令自发布之日生效并于发布之日后的第60日起具有终局效力。

《科创板日报》1日讯，存储器价格进入拉锯战，尽管业界对于原厂延续涨价的态度已取得共识，但受限于终端需求不佳，买卖双方对于涨幅仍处于拉锯中，业界指出，现货市场库存去化可望于7~8月陆续告一段落，届时存储器原厂的季底结算即将来临，预料价格协商会在8月达成共识。

财联社6月26日电，据韩国《每日经济新闻》报道，三星三季度将把动态随机存储器 (DRAM) 和NAND的价格上调15-20%。由于人工智能（AI）需求激增，内存安全竞争加剧，预计三星电子下半年业绩将有所改善。据业内人士26日消息，证实三星电子近期已向包括戴尔科技和惠普(HPE)在内的主要客户通报了这一涨价计划。

《科创板日报》26日讯，半导体存储器DRAM的大宗交易价格上涨。截至5月，指标产品环比上涨了8%。随着用于生成式AI的新一代产品需求出现激增，存储器企业对普通产品也进行了强势提价。一家日本电子产品贸易商指出：“HBM供应跟不上需求，供应量出现短缺”。大型存储器企业表示，“我们强势要求客户在采购HBM之际高价购买普通DRAM，最终买方接受”。

《科创板日报》25日讯，为应对AI热潮带动的存储器需求，三星电子决定重启新平泽工厂（P5）基础建设，预计最快将于2024第三季重启建设，完工时间推估为2027年4月，不过实际投产时间可能更早。

《科创板日报》21日讯，存储器产业需求复苏，消息称，存储厂商华邦电第二季利基型存储器价格调升约两成，高雄厂及台中厂的产能利用率均已回归，带动第二季获利显着改善，并弥补首季亏损。 预计下半年传统旺季推升营运增温，相较上半年呈双位数增长。

《科创板日报》17日讯，据三星内部和业内消息人士称，三星电子将在年内推出高带宽存储器（HBM）的三维（3D）封装服务，预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。

《科创板日报》13日讯，据报道，标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际，DDR3产能不足状况更显严重，由于三星等大厂退出DDR3制造，但AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加，单一设备搭载容量直线上升，将引爆DDR3报价补涨行情。业界分析，随着主要DRAM厂减产效应持续发酵，带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在，且后面涨势依然可期，DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季，对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等厂商而言，DDR3的涨价效益将在本季和下季逐渐显现。