财联社7月4日电，据三星内部公告，三星电子将在2024年上半年向其半导体部门员工支付最高相当于基本工资75%的奖金。三星半导体业务的设备解决方案（DS）部门已公布的奖金额度为基本月薪的37.5-75%，其中存储器部门75%，晶圆代工部门37.5%，系统LSI部门37.5%，半导体研究中心75%。

财联社7月4日电，美国国际贸易委员会（ITC）7月3日投票决定对特定存储设备及其下游电子设备（Certain Memory Devices and Electronic Devices Containing the Same）启动337调查（调查编码：337-TA-1406）。美国Micron Technology Inc.、美国Hewlett Packard Enterprise Co.、美国HP, Inc.、美国Kingston Technology Company, Inc.、中国香港Lenovo Group Limited、美国Lenovo (United States) Inc.、美国Tesla Inc.为列名被告。美国国际贸易委员会将于立案后45天内确定调查结束期。除美国贸易代表基于政策原因否决的情况外，美国国际贸易委员会在337案件中发布的救济令自发布之日生效并于发布之日后的第60日起具有终局效力。

《科创板日报》1日讯，存储器价格进入拉锯战，尽管业界对于原厂延续涨价的态度已取得共识，但受限于终端需求不佳，买卖双方对于涨幅仍处于拉锯中，业界指出，现货市场库存去化可望于7~8月陆续告一段落，届时存储器原厂的季底结算即将来临，预料价格协商会在8月达成共识。

财联社6月26日电，据韩国《每日经济新闻》报道，三星三季度将把动态随机存储器 (DRAM) 和NAND的价格上调15-20%。由于人工智能（AI）需求激增，内存安全竞争加剧，预计三星电子下半年业绩将有所改善。据业内人士26日消息，证实三星电子近期已向包括戴尔科技和惠普(HPE)在内的主要客户通报了这一涨价计划。

《科创板日报》26日讯，半导体存储器DRAM的大宗交易价格上涨。截至5月，指标产品环比上涨了8%。随着用于生成式AI的新一代产品需求出现激增，存储器企业对普通产品也进行了强势提价。一家日本电子产品贸易商指出：“HBM供应跟不上需求，供应量出现短缺”。大型存储器企业表示，“我们强势要求客户在采购HBM之际高价购买普通DRAM，最终买方接受”。

《科创板日报》25日讯，为应对AI热潮带动的存储器需求，三星电子决定重启新平泽工厂（P5）基础建设，预计最快将于2024第三季重启建设，完工时间推估为2027年4月，不过实际投产时间可能更早。

《科创板日报》21日讯，存储器产业需求复苏，消息称，存储厂商华邦电第二季利基型存储器价格调升约两成，高雄厂及台中厂的产能利用率均已回归，带动第二季获利显着改善，并弥补首季亏损。 预计下半年传统旺季推升营运增温，相较上半年呈双位数增长。

《科创板日报》17日讯，据三星内部和业内消息人士称，三星电子将在年内推出高带宽存储器（HBM）的三维（3D）封装服务，预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。

《科创板日报》13日讯，据报道，标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际，DDR3产能不足状况更显严重，由于三星等大厂退出DDR3制造，但AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加，单一设备搭载容量直线上升，将引爆DDR3报价补涨行情。业界分析，随着主要DRAM厂减产效应持续发酵，带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在，且后面涨势依然可期，DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季，对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等厂商而言，DDR3的涨价效益将在本季和下季逐渐显现。

《科创板日报》12日讯，记忆体价格经历半年大幅上涨，且通端客户库存逐步回补完成，加上终端需求复苏较预期缓慢，市场法人预期，2024年下半年存储器报价涨势将转为缓和。就DRAM而言，中长线供需仍乐观，主要是在AI发展趋势下，将大量消耗高带宽记忆体（ HBM）产能。

《科创板日报》6日讯，消息称，消费性市场需求第二季表现平淡，但存储器模块厂5月营收维持强劲的年增率表现，看好AI带动终端应用换机潮，而存储器价格可望持续走扬，DRAM现货价将从8月后与合约价回归齐涨模式，下半年营运乐观成长。

《科创板日报》3日讯，受到终端消费需求疲弱，存储器现货市场5月价格显露疲态，DDR产品、Flash wafer及SSD应用等均呈现下滑，尤其是主流DDR4受到库存调整压力，单月跌价较大，而高端DDR5模块跌幅则相对缓和。

《科创板日报》31日讯，存储器模块厂威刚董事长陈立白表示，DRAM合约市场价格稳定上涨，现货市场虽然短期出现调整现象，但对下半年DRAM价格无须担心，预料将逐季往上拉。