财联社11月20日电，美银将闪迪（SanDisk）目标价从270美元上调至300美元。

财联社11月20日电，广东省人民政府印发《广东省国家数字经济创新发展试验区建设方案（2025—2027年）》，其中提出，加强算力产业新供给。建成具有国际影响力的半导体与集成电路产业聚集区，打造全国集成电路“第三极”。建设适配芯片的开发生态，加快高性能、低功耗端侧芯片研发生产与验证应用。鼓励企业通过集成算力芯片、处理器、射频通信、智能传感器、光芯片、存储器等，推进决策、控制、驱动、通信、显示等模组研发。探索存算一体、类脑计算、芯粒、RISC-V指令集（第五代精简指令集）等多元新兴技术和架构研发与应用，推广高性能云端智能服务器。

财联社11月20日电，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军教授11月20日在“2025集成电路发展论坛（成渝）暨三十一届集成电路设计业展览会”（ICCAD-Expo2025）上发表主旨报告显示，2025年中国芯片设计产业销售预计8357.3亿元，同比增长29.4%，重回高速增长区间，占全球集成电路市场的比例有所上升，人工智能、电动汽车以及存储器涨价等助推部分企业业绩快速增长。其中，武汉、成都、福州、北京等城市芯片设计业务发展增速居前；2025年预计831家企业销售超过1亿元，芯片设计行业人均劳动生产率重回上升区间。报告还呼吁进一步完善半导体投资体系和投资机制，建立多层次面向市场的投资基金，加大企业高层次人才的在职培养。

《科创板日报》19日讯，为提升盈利能力，三星电子正对存储业务实施新战略，在DRAM价格持续上涨的背景下，优先扩大通用型DRAM产能，同时暂缓高带宽存储器（HBM）相关投入。未来数年，公司可能会扩大通用型DRAM的生产，以提高盈利能力。

财联社11月17日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，2026年全球市场仍面临不确定性，通胀持续干扰消费市场表现，更关键的是，存储器步入强劲上行周期，导致整机成本上扬，并将迫使终端定价上调，进而冲击消费市场。基于此，该机构下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测，从原先的年增0.1%及1.7%，分别调降至年减2%及2.4%。此外，若存储器供需失衡加剧，或终端售价上调幅度超出预期，生产出货预测仍有进一步下修风险。

《科创板日报》17日讯，全球DRAM市场缺货，下游DRAM模组价格跟涨且一货难求。有渠道经销商要求客户“买一条DRAM模组，要搭配一片主板”，为DRAM问世以来首次。另外，PC零组件渠道商透露，报价“一天多变”，报价网站仅供参考，现场询问报价才算数，且需要有确定购买意向才报价，上午下午报价未必一致。

财联社11月13日电，美股存储概念股盘前走低，美光科技下跌2.9%，西部数据下跌4.9%，闪迪下跌5.3%。

《科创板日报》13日讯，根据TrendForce集邦咨询调查显示，随着存储器平均销售价格(ASP)持续提升，供应商获利也有所增加，DRAM与NAND Flash后续的资本支出将会持续上涨，但对于2026年的位元产出成长的助力有限。DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。

《科创板日报》12日讯，三星、SK海力士、铠侠、美光这四大存储龙头今年下半年都纷纷削减NAND闪存供应量。同时，三星电子、SK海力士和铠侠等正在谋划推动NAND价格上调。其中，三星目前正与海外大型客户讨论明年的供货量，并在内部考虑将价格上调20%至30%以上。

《科创板日报》12日讯，根据TrendForce最新发布的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，尽管DDR4和DDR5现货价格因卖家持观望态度而持续攀升，但DRAM芯片报价已超过模块报价，预示着模块价格可能在短期内大幅上涨。与此同时，NAND方面，512Gb TLC NAND晶圆现货价格本周上涨17.1%，达到每片6.455美元。由于预计供应紧张的局面将持续，价格上涨势头可能会延续到下个季度。

《科创板日报》11日讯，随着AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4，堆叠层数增加的趋势下，NOR Flash用量提升约50%，存储旺宏订单满手，将在明年第一季度调涨NOR Flash报价，涨幅上看三成。

《科创板日报》9日讯，闪存龙头闪迪（SanDisk）11月大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50%。其涨价消息引发整个存储供应链震动，导致创见（Transcend）、宜鼎国际（Innodisk）与宇瞻科技（Apacer Technology）等模组厂决定暂停出货并重新评估报价。其中，创见自11月7日起暂停报价交货，理由为“预期市场行情将继续向好”，言外之意即是“价格还可能进一步上涨”。